3.4二极管基本电路及其分析方法.ppt

1.二极管正向V -? 特性的建模 二极管导通后,其管压降认为是恒定的,且不 随电流而变化,典型值是 0.7V。不过，这只有当二 极管的电流iD近似等于或大于1mA时才正确。 3) 折线模型 其中，Vth和rD的值不是 固定不变的。 习题：P97页 3.4.5 例3.4.3 设简单二极管基本电路如图(a)示，R=10k??, 图(b)是它的习惯画法。对于下列两种情况，求电路的 ?D和 VD的值：(1)VDD=10V；(2)VDD=1V。在每种情况下，应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。 在电子技术中，常用限幅电路对各种信号进行处理。它是用来让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分。 习题：P97 3.4.7 3.4.8 3.4.9 例3.4.5 解：(1)求ID (2) 求△id 4) 开关电路 D 1 D 2 4.7K 5V V CC V I1 + - V I2 + - V0 D2 D1 V?2 V?1 由上表可见，在输入电压V?1和V?2中， 只要有一个为0V，则输出为 0V；只 有当两输入电压均为5V时，输出才为 5V，这种 关系在数字电路中称为“与” 逻辑。 0V 导通 导通 导通 D 1 D 2 V I1 V I2 4.7K V CC 5V V0 0V 截止 截止 导通 0V 0V 0V 0V 5V 5V 0V 5V 5V 截止 截止 5V 5) 低电压稳压电路 例：在如图所示的低电压稳压电路中，直流电 源电压V?的正常值为10V，R=10k?,当 V?变化±1V时， 问相应的硅二极管电压(输出电压)的变化如何？ VI R D + _ VO ID + △VI _ R D + _ △vO △id vO + △VI=2V VI=10V _ R D + _ iD VI=10V R D + _ VO ID R D + _ VO 0.7V ID VI=10V + _ R + _ △vO △id rd + _ R D + _ △vO △id * 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （2）恒压降模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 （3）折线模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 uD iD 电路模型 S S 正向偏置，其压降为0V;而在反向偏置时，认为电阻无穷大 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1)理想模型 ：判断二极管通断 iD vD 电路模型 2）恒压降模型 iD + _ vD 0.7V 0.7V ：信号幅度远大于二极管压降 iD vD 电路模型 + _ vD iD Vth rD Vth 二极管的管压降不 是恒定的，而是随着通 过二极管电流的增加而 增加。Vth约为0.5V(硅） ：信号幅度不能远大于二极管压降 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （4）小信号模型 vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin?t 时（VmVDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （4）小信号模型 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） （a）V-I特性 （b）电路模型 2. 模型分析法应用举例 1) 整流电路 2）限幅电路 3）开关电路 4）低电压稳压电路 5）箝位电路 6）其它电路 分析方法： 1）选