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太阳电池中的薄膜技术与材料 电科-关志强 一 太阳电池原理与薄膜太阳电池优势 工业革命以来，生产力飞速发展，能源消耗两大幅度上升，常规能源会带来严重的空气污染并且家具温室效应，所以需要开发新的能源技术，太阳能取之不尽用之不竭，所以光伏发电技术被认为最有前景的领域之一。 下图是2003-2017年全球光伏发电累计装机容量示意图 太阳能电池是利用半导体pn结由异种材料构成的异质结，将光转变成电能的光电变换半导体元件。其原理如图所示，入射光中能量比半导体禁带宽度Eg大的光子，会激发价带中的电子跃迁到导带，与此同时，在价带中产生空穴。由于太阳能电池中半导体pn结电场的存在，导致受光子激发产生的电子和空穴在电场作用下向n型区与p型区积累，结果产生光生伏特效应。如果将pn结两端外接电路，就可形成电流，实现光能到电能的转化。 太阳电池分类 二 硅系薄膜太阳电池 薄膜硅太阳电池：作为吸收光的硅层的厚度与晶体硅太阳电池情况相比，要薄许多（1/100）,不是用硅锭切割成硅片，而是在便宜的基板上，在1-2m见方范围内，做成薄并且大面积的薄膜，省资源高效率。其转换效率与温度的相关性比晶硅太阳电池相比要小。对于温暖地区的发电有优势。 另一方面，薄膜硅太阳电池转换效率太低，量产规模仅为7%到10%，是晶硅太阳电池的一半左右，所以提高转换效率很迫切。降低发电的价格。 2.2 薄膜硅的材料特性 薄膜硅大的分类上可以分为非晶与微晶两种，非晶硅的非晶有非晶态的意思，非晶硅禁带宽度大约为1.7eV，洁净贵是1.1eV，所以非晶硅可以吸收的光的波长限于月700μm以下。 从结构上来说，微晶硅是由非常小的结晶硅构成的，微晶硅的晶粒尺寸大致在10-100nm，仅为多晶硅晶粒的十万分之一。由于晶粒小，所以有很多晶界，会阻碍电荷的输运。但是可以有选择制作条件，可以获得晶界间隙少的致密Si，吸收波长范围可以达到1100nm的近红外区域。 制作薄膜硅最具代表性的制膜法是等离子增强化学气相沉积，反应室中导入硅烷与氢气，使用射频电源产生等离子体，通过匹配器向单侧电极（负极）供电，另一侧电极接地，基板被加热到200℃左右。 在等离子体中，硅烷气体分子与电子碰撞分解为SiH3（活性基），这种活性基在向基板输运的过程中生长为非晶硅膜层，活性基中的氢与等离子体中存在的氢原子一部分会混到生长的膜层当中，这些氢对于降低非晶硅的缺陷密度关系极大。 微晶硅也是由这种方法获得的，但其制膜时导入的氢气量不同，若将硅烷气体由氢气逐渐稀释，则相对等离子体中的SiH3来说氢的比例不断升高，达到一定的值时，便生长成微晶硅。 （在过程中，是辉光放电效应在起作用） 上面方法获得的是本征型的硅，电阻非常高，但是可以通过掺杂III-V族元素来降低膜层电阻率。 在制膜时，相对硅烷气体若按0.1%-1%的比例混入乙硼烷（B2H6）期磷化氢（PH3）可以获得p与n型的薄膜硅，如果混入甲烷及氢化锗（GeH3）等含有硅以外IV族的气体，还可以获得碳化硅及锗硅（SiGe）等合金薄膜。 2.4 薄膜硅太阳能电池基本结构 上衬底型：可以采用激光加工，易实现大面积，集成化，模组化的太阳电池。 下衬底型：基板选择性高，不透光而反射率高更好。 共同点：都需要用到p-i-n结作为最基本结构。 p-i-n 结 由于a-Si(非晶硅)多缺陷的特点，a-Si的p-n结是不稳定的，而且光照时光电导不明显，几乎没有有效的电荷收集。所以，a-Si太阳能电池基本结构不是p-n结而是p-i-n结。 掺硼形成P区，掺磷形成n区，i为非杂质或轻掺杂的本征层(因为非掺杂的a-Si是弱n型)。重掺杂的p、n区在电池内部形成内建电场，以收集电荷。同时两者可与导电电极形成欧姆接触，为外部提供电功率。i区是光敏区，此区中光生电子、空穴是光伏电力的源泉。 表面电极采用光透射性好的透明导电氧化物（TCO），在薄膜硅太阳电池中，为获得高的光电流，需要从受光面入射的光及从背面电极反射的光封闭在i型区，为了实现这种光封闭技术通常采用亚微米级凹凸（又称为表面绒毛化），并被TCO包覆的基板，抑制反射和增加光吸收效果。 近年来，非晶硅薄膜太阳电池逐渐从各种类型的太阳电池中脱颖而出，在全球范围内掀起了一股投资热潮。大尺寸玻璃基板薄膜太阳电池投入市场，必将极大地加速光伏建筑一体化、屋顶并网发电系统以及光伏电站等的推广和普及。 非晶硅薄膜电池在高气温条件下衰减微弱，所以也适合高温、荒漠地区建设电站。 尽管非晶硅是一种很好的太阳能电池材料，但由于其光学带隙为1.7eV，使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。 光电转换效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致劣化效应，使得电池性能