纳米ZnO及掺杂La的ZnOLaOH3混合膜的阴极电沉积研究.pdfVIP

摘要 摘要 ZnO作为一种重要的宽禁带(3．37eV)、高激子束缚能(60meV)的II—VI族半 导体材料。由于具有良好的光、电、磁等性能，已广泛应用于发光元件、太阳 能电池、气敏电极、压电传感器和光催化等领域。近年来，稀土离子(例Tb、Er、 Eu、Dy、Ce)掺杂的ZnO由于具有独特的发光属性而吸引了众多学者的研究， 但目前绝大多数研究集中在ZnO的替位掺杂上，对稀土氢氧化物与ZnO共沉积 掺杂的研究尚不多见。 本论文采用三电极恒电位电沉积技术，用热力学方法研究了ZnO薄膜电沉 积过程中温度对电势-pH、物质分布系数、ZnO／Zn(OH)2溶解度的影响，并在氧 tin 化铟锡(indium oxide，ITO)玻璃电极上制备出具有高C轴择优取向的ZnO纳 米棒阵列膜和稀土元素La掺杂的ZnO／La(OH)3共沉积膜。 实验首先通过O．1mol／L Zn(N03)2体系在不同温度下的电势．pH、组分的分布 系数和ZnO／Zn(OH)2的溶解度热力学计算方法得出最佳电沉积实验条件及最终 沉积产物。随后用沉积过程的循环伏安曲线、电流密度．时间曲线、薄膜的X射 线粉末衍射、扫描电子显微镜和热重．差热实验结果验证了热力学理论分析。光 学研究发现，ZnO薄膜在可见光区具有高透光度(80％)和较为陡峭的吸收边缘。 最后结合实验提出了硝酸锌水溶液中电沉积ZnO的反应机理。 采用控制阴极恒电位电沉积技术，在简单的Zn(N03)2溶液中，利用六亚甲 上制备出透明致密的ZnO纳米棒阵列膜。采用X射线粉末衍射、扫描电子显微 镜、能量散射谱、紫外．可见透射谱和光致发光谱等技术，对其结晶特性、表面 形貌、组成、光学性质等进行了研究。结果表明在HMT的辅助作用下，所制备 的具有c轴高度择优取向的ZnO纳米棒为高纯单晶纤锌矿结构，粒径约为300 nrfl，膜表面平整度明显提高。紫外．可见透射谱显示ZnO薄膜在可见光区具有高 透射率(80％)和陡峭的吸收边缘，室温光致发光谱中强而尖锐的紫外发射峰和 弱绿光发射峰说明所制备的ZnO纳米棒阵列膜具有良好的结晶度和优良的发光 性能。 采用阴极恒电位电沉积技术，在含不同浓度La3+离子的0．01M Zn(N03)2、 0．IM 摘要 溶液中N03‘离子的还原导致电极表面pH升高，而后La(OH)3开始沉积并与ZnO 在ITO电极表面形成混合共沉积膜，共沉积膜中La(OI-I)3组份的热分解温度经 计算大致为662K。上述热力学分析通过在ITO导电电极上共沉积出 ZnO／La(OH)3薄膜和对共沉积膜的热重．差热实验得以证实。实验发现随La3+浓 度的增加而快速出现两相：分散的花状掺杂La的ZnO和在其底部由La(OH)3 透过性因表面平整度的下降而降低。 关键词：ZnO纳米棒；电沉积；温度；稀-k；ZnOa_a(OH)3混合膜 Ⅱ Abstract Zinc II’VIsemiconductormaterialwi廿1awidedirect oxide(zno)．allimpotant band a exciton room eV)and meV)attemperature， gap(3．37 large bindingenergy(60 has usedin been luminescence，solar widely cells，gas transducersand duetoitsexcellent and photocatalyst