硅及其光伏应用资料.ppt

组成系统 太阳跟踪装置 为最大限度采集太阳光，电池板需要随时调整方向，迎向太阳入射光 逆变器 太阳电池产生的是直流电，而生活中的电器都使用交流电。因此，需要安装交-直流变换装置 蓄电池 太阳电池只能在白天太阳光照射下工作，而照明等应用在晚上。因此，要将电池白天产生的电力存储起来 其它 控制器、电线电缆、防护固架等 太阳电池系统图 太阳电池系统应用 影响电池转换效率因素 原材料纯度 原生硅材料纯度对电池的光电转换效率有决定性的作用。 材料内的氧、碳及重金属等杂质严重降低了电池片对太阳光能的吸收和转化 制作工艺 铸锭工艺中要求晶粒越大越好，前些年出现准单晶铸锭工艺，但成本 较高。现在有半熔工艺，生长粗大晶粒，效率比全熔工艺提高约0.5% 材料中的缺陷——位错、晶界——对电池的效率有一定的影响 制片工艺也影响电池效率 理论上，硅太阳电池的光电转换效率约为26%。目前实验室内单晶硅电池可做到24%左右。 工业生产中，单晶硅电池已达19%；多晶硅电池也达到18%以上 三、多晶硅铸锭简介 原材料 原生硅材料 太阳能一级、二级。可以是块料，也可以是短棒料，棒料长度为200mm。 边皮料 用于进行P型掺杂，一般为前些炉次的碎料 板料，为前些炉次方锭切下的厚块料，用于置放在坩埚底部和内侧，起保护作用 半熔工艺还需要3mm-9mm的碎料进行铺底，作为籽晶 一、硅材料简介 硅——周期表中位置 Si 铝 硅 磷 Si：原子序数14，在元素周期表中属3周期IVA族。 原子量28，最外层电子3S23P2，化合价4。 碳 硅 锗 Al C P Ge 硅——物理性质 硅—— 英文名Silicon，源自silex，意为“燧石”；港、台也称“矽”。 发现于1823年，地壳中的丰度为27.7% ——地球上第二多的元素，与氧结合形成的SiO2，占地壳总质量的87%。 以大量的硅酸盐和石英矿形式存在于自然界中。是矿物界的主要元素。 单质具有无定形态和晶体两种固体形式。 晶体硅的熔点1410℃，沸点2355℃ ，密度2.32~2.34g/cm3，莫氏硬度7，性脆。 晶体硅硬而脆，具有金属光泽，导电率随温度升高而增加，具有半导体性质。 硅——化学性质 硅在常温下不活泼，其主要的化学性质如下： (1)与非金属作用 常温下Si只能与F2反应，在F2中瞬间燃烧，生成SiF4。 加热时，能与其它卤素反应生成卤化硅，与氧反应生成SiO2 。 在高温下，硅与碳、氮、硫等非金属单质化合，分别生成碳化硅SiC、氮化硅Si3N4、硫化硅SiS2等。 (2)与酸作用 Si在含氧酸中可被钝化；与氢氟酸及其混合酸反应，生成SiF4或H2SiF6 。 (3)与碱作用 无定形硅能与碱猛烈反应生成可溶性硅酸盐，并放出氢气。 (4)与金属作用 硅能与钙、镁、铜、铁、铂、铋等化合，生成相应的金属硅化物。 硅——图示 硅石 金属硅 石英砂 单晶硅片 多晶硅片 硅的用途 主要作为一种功能材料而利用其电学性能 晶体管和可控硅等分离电子元件 大规模和超大规模集成电路（IC） 太阳电池片 其他用途 光缆通讯：利用高纯掺杂的SiO2制造玻璃光纤 各种硅添加剂： 钢铁：变压器用（硅）矽钢片 铝型材：铝硅合金 化妆品：洁面乳中的研磨剂 其他 二、太阳电池简介 光线在物体中的作用 物体对入射光的反射、折射和吸收 入射光 反射光 (折)透射光 (被)吸收光 物体对光的吸收 吸收率 光能的一部分可被物体吸收。吸收率与物体厚度有关。 如果入射光的能量为I0，则在离表面距离x处，光的能量衰减为I I = I0e-αx 式中α为物体的吸收系数。 上式表示光在物体中传播I/α距离时，能量因吸收而衰减到原来的1/e。 I0 I x 半导体材料的光吸收 光电导现象 半导体材料的吸收系数较大，一般在1×105cm-1以上。能够强烈吸收光的能量。 半导体原子中的电子吸收能量，能态发生变化，产生电子跃迁： 1、吸收少量能量，电子未离开其平衡位置，能量作用于晶格，最终 光能转变为热能； 2、如果吸收能量较大，电子跃迁离开原子核束缚。从而产生电子-空穴对。称为半导体的本征吸收。 在状态2时，半导体材料中的光吸收导致了非平衡载流子产生，总的载流子浓度增加，电导率增大，这就是半导体材料的光电导现象-光敏特性 。 光生伏特效应 半导体的光伏效应 在P、N型半导体的接触界面处存在一个因扩散和飘移而形成的平衡电场。 如果入射光照射在半导体上，在p-n结附近将产生电子-空穴对。这些非平衡载流子向内建电场两端的移动，就产生了光生电势（电压）。 这时如果将p-n结和外电路连接，则电路中出现电流，称为光生伏特现象或光生伏特效应。 光伏效应是光 (太阳) 电池工作的基本原理。 太阳能 地球上一切能