11CD-RW工作原理及技术指标.ppt

CD-RW驱动器 CD-RW驱动器的类型和外部结构 1．CD-RW驱动器的类型 根据CR-RW驱动器的外形，可分为内置式和外置式两种。 根据CD-RW驱动器的接口，可分为IDE接口、SCSI接口、并口、USB接口、IEEE 1394接口等几种。 还可根据CD-RW驱动器的速度来分，CD-RW驱动器的速度有三项指标：写入速度，擦除并重写速度和读取速度。例如，52×32×52，代表52倍速写CD-R，32倍速擦除和写CD-RW，52倍速读CD-ROM。 2．CD-RW驱动器的外部结构 CD-RW驱动器的外观与CD-ROM驱动器几乎一样，其控制面板上的按键、插孔的作用，背面的接口，也都与CD-ROM驱动器相同，如图9-5所示。 CD-RW驱动器的工作原理 1．CD-R的工作原理 CD-R盘片是在聚碳酸酯制成的片基上喷涂了一层染料层。在刻录CD-R盘片时，通过大功率激光照射CD-R盘片的染料层，使部分染料受热分解。当加热到临界温度时，在染料层上形成一个个平面（Land）和凹坑（Pit），被烧录过的区域产生了化学反应可以反射光，而没有烧录过的区域则无法反射。光驱在读取这些平面和凹坑的时候就能够将其转换为0和1信号。由于染料层分解后不能复原，这种变化是一次性的，所以CD-R只能写入一次，不能重复写入。CD-R盘片的结构，如图9-6所示。 2．CD-RW的工作原理 CD-RW盘片的记录层被两层电介质层夹在中间，电介质层的作用是，在写操作时，吸收从相位改变层发出的额外热量。在CD-R盘片有机染料记录层的位置上，CD-RW盘片使用一层银、铟、硒或碲的晶体混合物，这种混合物在不同的温度下能够呈现出结晶和非结晶两种状态，等同于CD-R的平面和凹坑。当刻录和复写时，CD-RW驱动器通过发射不同强度的激光，让晶体混合物在这两种状态之间相互转换，达到重复刻写的目的。由于CD-RW盘片具有这种热转换性，因此可以反复改变记录层的晶体状态，达到多次重写的目的。CD-RW盘片的结构如图9-7所示。 刻录机刻录过程 CD-RW驱动器的主要技术参数 1．读写速度 刻录机共有三个速度指标：刻录（写）速度，复写（擦）速度和读取速度，其中前两项速度指标是衡量刻录机的主要性能指标。刻录速度是指刻录机向CD-R写入数据时所能达到的最大倍速。复写（先擦后写）速度是指刻录机向CD-RW上写入数据时所能达到的最大倍速。读盘速度就是作为CD-ROM驱动器使用的速度。一般在刻录机的面板上都标注有这三项指标，如“52×24×52”的字样，分别表示这个刻录机的刻录速度（CD-R）、复写速度（CD-RW）和读取速度（CD-ROM）。 缓存容量 为了保证刻录的质量，在高速刻录时除了要求使用优质CD-R、CD-RW盘外，刻录机的缓存容量也十分重要，因为在刻录时数据先要写入缓存中，再刻录到光盘上。如果缓存里的数据用完了，后面的数据又不能及时补充，就会导致缓存欠载（Buffer Under Run）情况的发生，造成刻录失败。因此理论上刻录机的缓存容量越大，刻录时的失败率就越小。 防止缓存欠载技术 防止缓存欠载（Buffer Under Run-Proof，简称Burn-Proof）技术现在最著名的有5种，分别是理光公司提出的Just Link、三洋公司提出的Burn-Proof、飞利浦公司提出的Seamless Link、OAK公司提出的Exact Link（无缝焊接）和Super Link技术。防缓存欠载技术从根本上消除了缓存欠载的隐患。 读写方式 刻录机目前的读/写方式有4种：CLV、Z-CLV、CAV和P-CAV CLV（恒定线速度）读取盘片内圈和外圈时的数据流量相同，想要达到这个要求，主轴电机就必须不断地改变转速，读内圈数据时转速高，读外圈数据时转速低。 　　CAV（恒定角速度）主轴电机的转速恒定不变，读取内圈数据时数据流量较低，读取外圈数据时数据流量较高。 　　P-CAV（局部恒定角速度）则是将以上两种方式的优点结合起来，在读取内圈数据的时候采用CLV方式，读取外圈数据的时候采用CAV方式。 　　Zone-CLV（区域恒定线速度）应用在高速刻录机上，也简写Z-CLV；在刻录时，是将一张刻录盘由内到外分成数个区域，刻录时以区域为单位逐步提升速度，同一个区域内的刻录速度是恒定的，这样可以在刻录机保证稳定的前提下再将速度提升到更高的阶段，避免了马达转速过高带来的不稳定因素 防尘设计 由于刻录机的激光头是水平向上发射聚焦激光束来实现刻录的，进入刻录机的灰尘一旦落在激光头上就很容易被烧结，造成激光束聚焦不良直接影响正常刻录。因此，有防尘设计的刻录机是我们应该找重考虑的。 Firmware 　　Firmware又称固件，它对于CD-R/RW刻录机的关系就如同BIOS和主板的关系，每种型号的