电子束蒸镀法制备CuIn07Ga03Se2薄膜太阳-中国有色金属学报.PDF

第 26 卷第 1 期 中国有色金属学报 2016 年 1 月 Volume 26 Number 1 The Chinese Journal of Nonferrous Metals January 2016 文章编号：1004-0609(2016)-01-0103-09 电子束蒸镀法制备CuIn Ga Se 薄膜 0.7 0.3 2 太阳电池的性能 1 1 1 1 2 2 王星星 ，张福勤 ，周 俊 ，郑吉祥 ，黎炳前 ，刘 怡 (1. 中南大学 粉末冶金国家重点实验室，长沙 410083 ；2. 中南大学 材料科学与工程学院，长沙 410083) 摘 要：封装石英管真空熔炼合成 CuIn Ga Se (CIGS)块体，再采用电子束蒸镀此块体，制备用于太阳电池吸收 0.7 0.3 2 层的 CIGS 薄膜，然后对薄膜进行不同温度的真空退火处理。分别采用 XRD 、EDS 、SEM 及光谱分析等方法，研 究 CIGS 块体和退火薄膜的表面形貌、晶体结构、成分或者光电性能。结果表明：在 1200 ℃、保温2 h 后，采用 真空熔炼获得结晶性能较好、单一黄铜矿结构的 CuIn Ga Se 块体。随着退火温度的升高，薄膜中 In-Se 杂质相 0.7 0.3 2 分解，从而获得单一相的 CIGS 薄膜；并且颗粒不断长大，达到 1.0~3.5 μm ；成分和光学禁带不断得到优化。600 ℃ 退火薄膜是比较符合理想太阳电池要求的吸收层材料。 关键词：太阳电池；CuIn Ga Se ；真空熔炼；电子束蒸镀；退火处理 0.7 0.3 2 中图分类号：TM914.4 文献标志码：A Cu(In Ga )Se (CIGS)薄膜太阳电池具有光吸收 点是有毒且易挥发。固态 Se 作为硒源，Se 蒸气压难 1−x x 2 5 cm−1[1]) 、光电转化效率高( 目前实验 Se 和 Ga Se 等挥 系数高( ＞1×10 以控制，在热处理过程中会产生 In2 2 室最高效率已经达到 21.7%[2])、禁带宽度可调，没有 发性气体而导致 In 、Ga 等元素损失和不必要的氧化扩 光致衰退问题、抗辐射能力强[3]等优点，目前已成为 散，而使得薄膜成分发生改变，也难以制备出高质量 [4] [12] [3] [14] 最有希望获得大规模应用的薄膜太阳电池 。 的薄膜 ；栾和新等 和 LIU 等 采用磁控溅射单一 CIGS 薄膜太阳电池吸收层为 CIGS 薄膜，对光电 靶材方法制备 CIGS 吸收层薄膜，分析了不同退火工 转化效率有着决定性的影响[5]