金属电子论技术总结.ppt

2009年在得知戴希等的成果后，中科院物理所研究员马旭村和副研究员何珂揽下了材料设计与制备的活儿。利用分子束外延方法，获得了高质量的Bi2Te3族拓扑绝缘体薄膜。然后，根据中科院物理所方忠、戴希和斯坦福大学张首晟等人的理论和材料计算结果，在这种拓扑绝缘体薄膜中掺入磁性元素，并期望由此实现量子反常霍尔效应。 清华大学中科院薛其坤院士的研究组负责测量霍尔电阻， “材料降温容易，但给电子降温很难。”经过大量细致的工作，后来量子反常霍尔效应是在温度为 30mK 的条件下观察到的。 中科院院士于渌在评价这一工作时说：“物理学中，很多时候都是实验观察到现象，然后得出理论。他们这次对量子反常霍尔效应的研究刚好相反，是一次从理论到实验的完整过程。” Klitzing 和Th. Englert 发现霍尔平台： 实验观测到的霍尔电阻 1, 霍尔电阻有台阶, 2, 台阶高度为 , i 为整数, 对应于占满第 i 个Landau能级, 精度大约为5ppm. 3, 台阶处纵向电阻为零. 按经典霍尔效应理论应有： 经典理论 按经典霍尔效应理论应有： 即霍尔电阻率与电子密度 n 和磁场 B 有关。 Klitzing 最初的实验是固定 B 改变 n 来进行，当然也可以固定 n 改变 B 。为便于分析前图中把他的发现用 ρ H xy 随 B 的变化曲线表示出来。 当给定 n 时， ρ H xy 随 B 的变化按经典结果应为直线，但却出现一系列的平台。在所有平台处，ρxx = 0 ，同时 ρ H xy 可以统一表示为： 可见，霍尔电导率 σ H xy 是量子化的，其数值是 (e2/h) 的整数倍。所以称为量子霍尔效应。 量子霍尔效应的出现与在电场和磁场的共同作用下电子能量的量子化有关。 在磁场的作用下，二维自由电子体系的准连续谱被分裂为一系列的Landau 能级。每一个朗道能级都是高度简并的，简并度为： 不妨碍一般性，这里已取系统的面积为单位面积。 在低温磁场下可以认为所有的电子的自旋平行取向，每个朗道能级所容纳的电子数也为 g 。注意到 g 与朗道能级间的间隔 都与 B 成正比。 低温下 ： 因此可以不考虑热激发，若所有电子恰好填满 EF 以下的 ν 个能级，则这时电子密度 n 可表示为： 就可得到： 其中 ν 为整数。这与实验的结果是一致的。 但这只能说明霍尔电阻率的值是量子化的，但并不能说明为是么会出现平台以及如何由一个平台过渡到另一个平台。 为了说明这一结果必须考虑到实际上的二维体系并不是理想的，电子必然会受到杂质和界面粗糙性所产生的无规势的作用。从而是每一个朗道能级展宽为一个能带，称为朗道子带。 每个朗道子带的中心区域是扩展态，两边是局域态。每个子带所容纳的电子数仍为 eB/h 。 现在考虑电子在各朗道子带中的填充，固定 n 改变 B ，当费米能级 EF 位于 ν 和 ν + 1 两个朗道子带之间时，所有电子刚好填满 EF 以下的 ν 个子带，这时 n 仍由式 νeB/h 来表示。，从而得到霍尔电阻率是量子化的。 改变磁场 B ，由于每个子带所容纳的电子数及带间距离均随 B的增大而增大，所以会使 EF 的相对位置发生变化。当 EF 在局域态的区域发生相对移动时，只是局域态的填充情况发生变化，而扩展态的的填充情况不变，所以由电子扩展态所贡献的霍尔电阻率保持不变，出现平台。而且每当 EF 越过扩展态区域进入另一局域态区域时，霍尔电阻率就会从一个平台过渡到另一个平台。 由于杂质的作用, Landau能级的态密度将展宽(如下图). 两种状态: 扩展态 和 局域态 只有扩展态可以传导霍尔电流(0度下), 因此若扩展态的占据数不变, 则霍尔电流不变. 当Fermi能级位于能隙中时, 出现霍尔平台. Laughlin(1981) 和 Halperin(1982)基于规范变换证明, 只要第 i 个扩展态占满, 则霍尔电阻由下式精确给出 应用: 1, 1990年起, 电阻标准为: 精度 2, 精细结构常数 精度 分数量子霍尔效应 1982年崔琦(Daniel C. Tsui)和史德莫(Horst L. St?mer)在麻省理工学院。 发现霍尔电导平台不但于填充因子为简单整数时会出现(见图二)，而且在简单分数(1/3, 2/3, 2/5, 4/5, 1/7,…)时也会出