计算机组成原理第三章存储系统[一]技术总结.ppt

(3)与CPU的连接 CPU C B A G1 G2A G2B A13 A14 A15 A12 A11 A10 Y0 Y1 CS CS CS CS A9-- A0 A9-- A0 A9-- A0 A9-- A0 A9-- A0 D3-- D0 D7– D4 I/O0-I/O3 I/O0-I/O3 I/O0-I/O3 I/O0-I/O3 WE WE WE WE WE M/O 74138 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 注1:计算机执行程序时,CPU从存储器中提取程序(确切地说,是从主存中提取程序,而存放在外存的程序及数据,只有调入内存后才能被CPU提取执行. 每个单元包含的二进制位数越多,则CPU每次访问存储器所传送的信息量越多,计算机的工作效率越高. * 注解1:大容量、高速度、低价格、高可靠性的存储器是计算机系统结构设计人员追求的目标，也是用户评价存储器性能的主要技术指标。 * 注解1:一般存取周期大于存取时间,因为有的存储器读出操作是破坏性的,当读取信息时信息被破坏,所以在读出信息的同时要立刻将其重新写回到原来的存储器单元中,然后才能进行下一次访问.即使是非破坏性读出的存储器,读出后也不能立即进行下一次读写操作,因为存储介质与有关控制线路都需要有一段稳定恢复的时间,所以TATM,目前大多数的计算机存储器的存取时间在纳秒(ns)级,1ns=10-9秒. TM,同样能反映存储器的性能,它常被标记在内存芯片上,如“-7”,“-15”,“-45”,表示7ns,15ns,45ns,这个值越小,表示内存芯片的存取速度越高,价格也越贵. 注解2:早期的机械式存储元件、继电器、电子管或水银延迟线存储元器件以及磁芯存储器被磁表面存储器、半导体存储器、光盘存储器所取代。各类存储器各有特点。半导体存储器速度快、成本较高；磁表面存储器成本低、速度慢，能做成较大容量存储器，但无法与CPU高速处理信息的能力相匹配。可见单一类型的存储器无法满足需要，实际的计算机存储器都由多种类型不同特点的存储器所组成。计算机信息按实时性、活跃性分几个层次分布在各类存储器上。 * 注解:早期的机械式存储元件、继电器、电子管或水银延迟线存储元器件以及磁芯存储器被磁表面存储器、半导体存储器、光盘存储器所取代.近年由于超导体技术、激光技术等新学科的发展，出现了超导体存储器、光存储器等新型的存储器件。目前绝大多数计算机存储器的存储介质主要仍是半导体存储器、磁表面存储器。 注解1:20世纪60年代半导体存储器件进入了计算机主存储器的领域,用半导体集成电路制造工艺,将许多具有相同记忆功能的存储单元电路排列成阵列,并和外围电路集成在同一芯片上,所以具有集成度高、容量大、体积小，而且存取速度快、功耗低，价格便宜、维护简单等优点。半导体存储器与磁芯存储器相比，弱点是信息易挥发（volatility),多数半导体存储器当计算机断电是，信息随之消失，为防止突发电源故障冲垮程序，需要设计断电保护。 半导体存储种类也很多，从制造工艺可分为晶体管双极型(bipolar)和场效应MOS型(metal-oxide-semiconductor----金属氧化物半导体)两大类.双极型半导体存储元件目前主要有晶体管-晶体管逻辑存储元件(transistor-transistor logic,简称TTL型存储元件)和射极耦合逻辑电路(emitter-coupled logic,简称ECL型) .双极型存取速度快,大约是MOS电路的10-30倍,常用于大型机和高速存储器场合,但工艺上不易高集成化,功耗较MOS电路大,价格相对贵,不宜做成大容量器存储器.MOS存储器存取速度虽不及双极型,但制造工艺简单,存储密度高,功耗少,成本低,适于做容量较大的主存储器. 纳米技术的出现使半导体纳米材料将成为可能.1纳米=10-9米,即10亿分之一米,相当于10个氢原子排列的长度.半导体纳米材料将济以硅为材料的微米级集成电路之后,成为新型电子材料,将使存储能力提高上千倍. 注解2:光存储器是由圆盘形的玻璃或塑料基片涂以适于光存储的记录介质组成的.存储单元的光学性质可以代表被存储的信息1或0,并且通过检测记录介质对光的反射来识别被记录的信息. 注解:随机存储器RAM—如果一种存储器可以随机地按指定地址向存储单元存入或取出信息,并且无论向哪个地址进行读写操作所需的时间完全相同,这种