MOS场效应管的特性.pptVIP

MOS 场效应管的特性;5.1 MOS场效应管5.1.1 MOS管伏安特性的推导;MOSFET的三个基本几何参数;MOSFET的三个基本几何参数;MOSFET的伏安特性:电容结构;非饱和时（沟道未夹断），在漏源电压Vds作用下，这些电荷Q将在?时间内通过沟道，因此有;MOSFET的伏安特性方程;*;MOSFET特性曲线;5.1.2 MOSFET电容的组成;MOS电容—SiO2和耗尽层介质电容;MOS电容—束缚电荷层厚度;MOS电容 —耗尽层电容;MOS电容—耗尽层电容特性;MOS电容—耗尽层电容特性(续);*;MOS电容—凹谷特性;MOS电容—凹谷特性测量;MOS电容?凹谷特性测量;5.1.3 MOS电容的计算;MOS电容的计算;MOS电容的计算;MOS电容的计算(续);MOS电容的计算(续);*;*;5.2 MOSFET的阈值电压VT;*;;Vox的计算;*;5.3 MOSFET的体效应;阈值电压随源极-衬底电压的变化;*;*;*;*;*;5.6 MOSFET尺寸按比例缩小(Scaling-down);MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响;MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响;栅长、阈值电压、与电源电压;VT的功能： 1) 在栅极下面的Si区域中形成反型层； 2) 克服 SiO2介质上的压降。 降低VT的措施： 1) 降低衬底中的杂质浓度，采用高电阻率的衬底; 2) 减小SiO2介质的厚度 tox。 (两项措施都是工艺方面的问题);MOSFET的跨导gm和输出电导gds; MOSFET的动态特性和尺寸缩小的影响;MOSFET的动态特性，亦即速度，取决于RC网络的充放电的快慢，进而取决于 电流源Ids的驱动能力，跨导的大小， RC时间常数的大小， 充放电的电压范围，即电源电压的高低。;MOSFET 的速度可以用单级非门(反相器)的时延 ?D来表征。 Scaling-down( L?,W?, tox?, VDD?) 对MOSFET 速度的影响： (L?，W?， tox?)?Ids? VDD? ; MOSFET尺寸按比例缩小的三种方案;恒电场(constant electrical field);MOSFET特征尺寸按?(?1)缩减的优点;5.7 MOS器件的二阶效应;5.7.1 L和W的变化; L和W的变化(续);另外，人们又在氧化区的下面注入称为场注入区（field implant）的P+ 区，如下图所示。这样，在氧化区下面衬底的 Na值 较大，也提高了寄生 MOS 管的开启电压。同时，这个注入区也用来控制表面的漏电流。如果没有这个P+注入区，那么，两个MOS管的耗尽区很靠近，漏电增大。由于P+是联在衬底上的，处于最低电位，于是，反向结隔离性能良好，漏电流大大减小。 结论: 所以，在实际情况中，需要一个很厚的氧化区和一个注入区，给工艺制造带来了新的问题。;L和W的变化(续);L和W的变化(续);L和W的变化(续);5.7.2 迁移率的退化;迁移率的退化（续）;迁移率的退化（续）;迁移率的退化（续）;5.7.3 沟道长度调制;5.7.4 短沟道效应引起门限电压变化;短沟道效应引起门限电压变化(续);短沟道效应引起门限电压变化(续);5.7.5 狭沟道引起的门限电压VT的变化;本章练习