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3．工作方式 根据韦根德丝外部磁场引入的方式不同，韦根德传感器有两种驱动方式：非对称驱动方式和对称驱动方式。 非对称驱动方式 强磁场中 弱磁场中 强磁场中 在对称驱动方式中 4．影响输出电压脉冲的因素P206 5．应用 1）韦根德触觉传感器 下图是用韦根德丝制成的触觉传感器。韦根德丝上绕有探测线圈，其下方为一个使韦根德丝磁化的永久磁铁。当上面的键向下移动至与下面部分接触时，上面的磁铁更接近韦根德丝，但磁极极性与下面的磁铁相反，这就使得丝内层的磁化方向反转，探测线圈输出一个尖脉冲。韦根德丝一般长约为几个厘米，直径约为0.3mm，磁敏元件线圈匝数为1000～2000匝左右，输出脉冲电压为几伏数量级，脉冲宽度约为20μs。 2）在椭圆齿轮流量计中的应用 椭圆齿轮流量计是总量测量仪表，在流量计中，转子每转一周所排出的流体是定值。因此，测出转子的转数就可以计算出流量。其发讯装置就是直接或间接用来测量转子测量次数的装置。由韦根德传感器构成的无源发讯装置原理结构如图中虚线部分所示。当磁铁转到韦根德组件下方时，由于磁场的变化，引起检测线圈中磁通量的变化，在检测线圈中产生较大的电压脉冲输出，脉冲的频率正比于流体的流量。此脉冲信号经过放大、整形、计数处理，最后由指针式或数字式仪表显示流量的值。 12.5.2 Z-元件 1983年，苏联科学院控制科学研究所常年研制传感器的V. ZOTOV教授在做实验时突然发现了一个现象：在一个原本输出直流信号的输出端却测出了大幅值振荡波形，最初以为是机器故障或干扰信号，后经过仔细分析确认这是一项新的发明，经过测试这批元件大部分都具有这种新特性。为复制出更多的具有这种特性的元件，在经历了无数次失败之后，于1985年终于从物理原理、半导体理论上有了新的突破。掌握了后来被称为Z-元件的这种新型传感器的机理，并能批量试制。 我国最早接触Z-元件的是国家CIMS工程技术研究中心,在国内发表一系列介绍Z-元件技术的文章，使我国更多地了解了Z-元件，并出现了研制Z-元件和利用Z-元件开发新产品的态势。 1．Z-元件基本特性 Z-元件(包括温、磁、光、力等)是一种其N区被重掺杂补偿的特殊PN结，是一种两端子敏感元件，它具有较高的输出灵敏度，其灵敏度超过现今任何一种敏感元件。 Z-元件的半导体结构如图(a)所示。按企业标准电路符号如图(b)所示，图中“+”号表示PN结P区，即在正偏使用时接电源正极。图(c)为正向伏安特性，该特性可分成三个工作区：M1高阻区，M2负阻区，M3低阻区。描述这个特性有四个特征参数： Vth：阈值电压，表示Z-元件结压降的最大值，用户可在3~100V之间选择。 Ith：阈值电流，为对应Vth的电流，通常在0.3~3.0mA。 Vf：导通电压，表示Z-元件从M1区跳变到M3区后所对应的结电压。 If：导通电流，对应Vf的电流。 M1区动态电阻很大，M3区动态电阻很小(近于零)，从Ml区到M3区的转换时间很短(微秒级)，与其它具有“S”型特性的半导体器件相比，该待性十分优异，为在形态上加以区别，故称“L”型特性。 Vf Z-元件具有两个稳定的工作状态：“高阻态”和“低阻态”，工作的初始状态可按需要设定。若静态工作点设定在M1区，Z-元件处于稳定的高阻状态，作为开关元件在电路中相当于“阻断”。若静态工作点设定在M3区，Z-元件将处于稳定的低阻状态，作为开关元件在电路中相当于“导通”。 在正向伏安特性上P点是一个特别值得关注的点，特称为阀值点，其坐标为：P(Vth，Ith)。p点对外部激励(如温、磁、光、力等)十分敏感，其灵敏度要比伏安特性上其它诸点要高许多。利用这一性质，可通过电压控制，使工作点逼近阈值点。Z-元件可从高阻状态迅速通过负阻区跳变到低阻状态;或者通过外部激励控制，使阈值点逼近工作点，Z-元件可从低阻状态迅速通过负阻区跳变到高阻态。在上述两种情况下，只要满足状态转换条件，都将引起工作状态的快速转换，从而产生开关量输出。 Z-元件的反向伏安特性如图(d)所示。反向击穿电压很高(约200~300V)，反向电流很小(约十几微安到几十微安)。以温敏Z-元件为例，在常用反向电压范围内，如VR36V，反向特性线性良好，而且工作温度越低，线性度越好。当电源电压不变时，随温度升高，反向电流增加，具有正温度系数。 Z-元件的反向应用具有低功耗