半导体二极管.pptVIP

* * 第1章 半导体二极管 及其基本应用 内容导航 1.0 教学基本要求 1.1 PN结 1.2 半导体二极管 1.3 半导体二极管的分析方法 1.4 半导体二极管的基本应用 1.5 特殊二极管 测验 习题解答 教学基本要求 熟悉: 了解: 普通二极管和稳压管的主要应用；发光二极管和光电二极管的性能、使用方法。 普通二极管和稳压管的工作原理，主要参数，使用方法。 掌握: 普通二极管和稳压管的外特性 1.1 PN结 1.1.1 N型半导体和P型半导体 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 其导电能力很弱介于导体和绝缘体之间。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 杂质半导体 N型半导体： 杂质元素：磷，砷 正离子 + + + + + + + + + + + + + + + 多数载流子 少数载流子 在本征Si和Ge中掺入微量五价元素后形成的杂质半导体。 多子：自由电子 少子：空穴 - - - - - - - - - - - - - - - P型半导体： 杂质元素：硼，铟 负离子 多数载流子 少数载流子 在本征Si和Ge中掺入微量三价元素后形成的杂质半导体。 多子：空穴 少子：自由电子 说明 杂质半导体呈电中性，任一空间的正负电荷数相等 N型半导体：自由电子数=空穴数+正离子数 ???? P型半导体：空穴数=自由电子数+负离子数 多子主要由掺杂形成,少子本征激发形成 杂质半导体的导电率高 本征激发产生的载流子浓度ni和pi随温度升高基本上按指数规律增大，因此温度是影响半导体工作性能的一个重要因素。 ★PN结： 1.1.2 PN结的形成 + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - 载流子的扩散运动 建立内电场 内电场对载流子的作用 内电场变窄 扩散运动和 漂移运动达到 动态平衡， 交界面形成稳定的 空间电荷区，即 ＰＮ结 P区 N区 演示 一、PN结正向偏置 在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。 PN结外加正向电压（P区接电源的正极，N区接电源的负极，或P区的电位高于N区电位），称为正向偏置，简称正偏。 演示 1.1.2 PN结的单向导电性 二、PN结反向偏置 在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。 因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。 当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为 反向饱和电流 。 PN结外加反向电压（P区接电源的负极，N区接电源的正极，或P区的电位低于N区电位），称为反向偏置，简称反偏。 演示 PN结正偏时呈导通状态，正向电阻很小，正向电流很大； PN结反偏时呈截止状态，反向电阻很大，反向电流很大。 —— PN结的单向导电性 在一个PN结的两端，各引一根电极引线，并用外客封装起来就构成了半导体二极管，（或称晶体二极管，简称二极管。 由P区引出的电极称为阳极（正极） 由N区引出的电极称为阴极（负极） 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 二极管按材料分常用的有硅二极管和锗二极管等； 二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型 二极管按用途分，常用有整流二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管等； （2）面接触型二极管—PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 （3）平面型二极管—往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 （1）点接触型二极管—PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 PN结的伏安特性方程 二极管的核心是一个PN结,所以它的伏安特性方程与上式基本相同。 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 PN结两端的电压U和PN结的电流I之间的关系可用下列方程表示： I=IS(eU/UT-1) 式中IS 为反向饱和电流，U 为二极管两端的电压降， UT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有UT=26 mV。 (1)