计算机组成原理第四章第二节研究.ppt

第二节 主存储器 一、概述 二、半导体存储芯片简介 三、静态随机存取存储器 四、动态随机存取存储器 五、只读存储器 六、存储器与CPU的连接 七、存储器的校验 八、提高访存速度的措施 一、概述 1、主存的基本组成 2、主存和 CPU 的联系 3、主存中存储单元地址的分配 4、主存的技术指标 主存的基本组成 主存和 CPU 的联系 主存中存储单元地址的分配 主存的技术指标 二、半导体存储芯片简介 1、半导体存储芯片的基本结构 2、半导体存储芯片的译码驱动方式 1、半导体存储芯片的基本结构 2、半导体存储芯片的译码驱动方式 线选法 重合法 线选法 重合法 三、静态随机存取存储器 ( RAM ) 用触发器工作原理存储信息，因此即使信息读出后，仍保持其原始状态，不需要再生 ； 电源掉电时，原存信息丢失； 1、静态 RAM 基本电路 2、静态 RAM 芯片举例 3、静态 RAM 读 时序 4、静态 RAM (2114) 写 时序 静态 RAM 基本电路 静态 RAM 芯片举例 2114 RAM芯片结构示意图 静态 RAM 读 时序 静态 RAM (2114) 写 时序 四、动态随机存取存储器(DRAM) 1、动态RAM 2、动态 RAM 基本单元电路 3、动态 RAM 芯片举例 4、动态 RAM 时序 5、动态 RAM 刷新 6、 动态 RAM 和静态 RAM 的比较 1、动态RAM(DRAM) 靠电容存储电荷的原理寄存信息； 电容上有足够电荷表示“1”，无电荷为“0”； 电容上的电荷只能维持1~2ms，不掉电，信息也会消失，需要再生或刷新； 三管式、单管式两种； 集成度高、功耗更低； 2、动态 RAM 基本单元电路 4、动态 RAM 时序 5、动态 RAM 刷新 存储信息原理 靠电容存储电荷来存储信息的； 电容上的电荷一般只能维持1~2ms； 再生或刷新 在2ms内对芯片内所有存储单元恢复一次原状态； 刷新的过程 先将原信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入； 刷新的三种方式 集中、分散和异步 6、 动态 RAM 和静态 RAM 的比较 五、只读存储器（ROM） 1、掩模 ROM ( MROM ) 2、PROM (一次性编程) 3、EPROM (多次性编程 ) 4、EEPROM (多次性编程 ) 5、Flash Memory (闪速型存储器) 1、掩模 ROM ( MROM ) 2、PROM (一次性编程) 3、EPROM (多次性编程 ) 4、EEPROM (多次性编程 ) 5、Flash Memory (闪速型存储器) 六、存储器与 CPU 的连接 1、存储器容量的扩展 2、存储器与 CPU 的连接 例题1、例题2、例题3 1、存储器容量的扩展 2、存储器与 CPU 的连接 CPU与存储芯片连接设计4步骤 根据十六进制地址范围写出二进制地址码，并确定其容量； 根据地址范围以及该范围在计算机系统中的作用确定芯片的数量及类型； 分配CPU地址线(CPU低位与存储芯片地址相连，高位和访存信号共同产生片选信号）； 确定片选信号 七、存储器的校验 1 、编码的最小距离 2 、汉明码 3、汉明码形成过程总结 4、循环冗余校验码 1 、编码的最小距离 2 、汉明码 （1）汉明码的组成 （2）奇偶校验 （3） 汉明码的纠错过程 （1）汉明码的组成 （2）奇偶校验 （3） 汉明码的纠错过程 3、汉明码形成过程总结 4、循环冗余校验码 （1）循环冗余校验码 （2）模2运算 （3）CRC码的编码方法 （4）CRC码的纠错 （5）生成多项式的选取 （1）循环冗余校验码 Cyclic Redundancy Check，CRC 基于模2运算而建立编码规则的校验码，是在k位信息码之后拼接r位校验码； 应用CRC码的关键是如何从k位信息位简便地得到r位校验位(编码)，以及如何从k+r位信息码判断是否出错； CRC码可以发现并纠正信息存储或传送过程中连续出现的多位错误 。 （2）模2运算 以按位模2相加为基础的四则运算，不考虑进位和借位； 模2加减 即 0±0=0， 0±1=1，1±0=1，1±1=0； 按位加，可用异或逻辑实现；两个相同的数据的模2和为0；模2加与模2减的结果相同； 模2乘 按模2加求部分积之和. 例如： 模2除 按模2减求部分余数，每求一位商应使部分余数减少一位； 上商的原则 当部分余数的首位为1时，商取1； 当部分余数的首位为0时，商取0。 当部分的余数的位数小于除数的位数时，该余数即为最后余数。 例：被除数101101，除数1101，商？余数？ 商 110，余数011 （3） CRC码的编码方法 CRC码就是用多项式M(x)·Xr 除以生成多项式G(x)（即产生效验码的