纳米电子学电子科大解决方案.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * GaAs的导带双能谷结构与速场特性 n-GaAs的导带具有双能谷结构。即n型GaAs导带中的多数载流子—电子，当它具有不同能量时，就会呈现两种不同的状态。 当电子能量低时，都处于下能谷中。当外加电场超过阈值电场Eth时（对n-GaAs，Eth=3200 V/cm），下能谷的电子获得的能量大于上下能谷的能量差，就从下能谷跃迁到上能谷，这时电子的状态就由轻电子转变为重电子，快电子转变为慢电子。导带电子的平均漂移速度就变慢。 体效应二极管的工作原理 当外加偏压较小时（小于阈值电压），样品内的电场和载流子均匀分布，而外加偏压大于阈值时，样品中的电场和载流子浓度不再均匀 n型GaAs层中，某处电子平均漂移速度的减小，就形成电子的积累层，对应的就出现了耗尽层。这时外加的强电场大部分集中在此区域内，所以此区域也称高场畴。 在外加电压作用下，畴从阴极向阳极渡越并不断成长。畴完全长成后，以饱和漂移速度（对n-GaAs为107cm/s）向阳极渡越。畴到达阳极后，被阳极吸收。体内电场又升高，当超过阈值时，在阴极附近立即成畴，整个过程不断重复，形成以渡越时间TO周期的电流脉冲。 振荡频率为 其中Vsat为电子饱和漂移速度，L为工作区长度。 高场畴的产生 体效应二极管渡越时间模式 归类 单电子 器件 磁电子 器件 过滤器 截止器 谐振器 微电容 微电极 自旋电 子器件 共振隧 穿器件 光电子 器件 巨磁电 阻器件 量子点和分子电子器件 纳米器件 内容总结 1、纳米技术简介 2、纳米结构加工技术 3、纳米电子基础 4、纳米器件简介 纳米电子学课件地址： 163免费邮箱，用户名：nmdzxkj 密码：nmdzx1 即如下地址： nmdzxkj@163.com 作业（考试占20分、考查将计入总成绩50%） 课程结束前提交报告/presentation（PPT或WORD格式）。 内容：1、自己正在或即将从事的科研工作。 2、纳米加工、纳米电子学、纳米尺度器件中的某个问题。 提交地址为: yongchen@ 相互抄袭的，只算一半的分数。 拒绝科普性、介绍性的报告。 Thank you 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * 设势垒区是耗尽层（耗尽层近似），施主杂质浓度为Nd，势垒厚度是 d0 ,一维泊松方程： 边界条件： 时， ； 时， 求解得： 能带弯曲： 热发射理论 伏安特性存在两种理论，当势垒厚度＞＞电子平均自由程，则载流子载流子在势垒中要经过多次碰撞，对应于扩散理论；而当势垒厚度＜＜电子平均自由程，载流子碰撞散射可以忽约，则对应于热发射理论，又称二极管理论。 概念上分两步，首先计算半导体中电子（空穴）浓度，其次计算动能大于势垒高度的电子浓度则得出载流子电流。 对非简并半导体，其电子浓度为 其中Nc为导带有效能级密度， 能量从 到 的电子浓度可表示为 采用经典近似考虑电子的能量为动能，可以写出： 因此可将dn化成电子浓度与速度的关系式， 由于只有向一定方向运动的电子才有可能穿过金半势垒产生电流，故对上述速度还需考虑其方向。而对速度空间坐标，有 以及 故有 从半导体到金属的电子电流密度为 其中, ，代入可得 当外加偏压V为零时，金半系统平衡，从半导体流向金属的电流等于从金属流向半导体的电流，故 因而总的电子电流为： 被称为里查逊（Richardson）常数。 半导体异质结 由两种半导体材料，如硅和锗，形成的结