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MW7IC930GNR1;MW7IC930NBR1;MW7IC930NR1;中文规格书,Datasheet资料
Freescale Semiconductor Document Number: MW7IC930N
Technical Data Rev. 1, 10/2010
RF LDMOS Wideband Integrated
Power Amplifiers MW7IC930NR1
The MW7IC930N wideband integrated circuit is designed with on--chip MW7IC930GNR1
matching that makes it usable from 728 to 960 MHz. This multi--stage MW7IC930NBR1
structure is rated for 24 to 32 Volt operation and covers all typical cellular base
station modulation.
Driver Application ó 900 MHz
• Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 = 728--768 MHz, 920--960 MHz,
106 mA, IDQ2 = 285 mA, Pout = 3.2 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, 3.2 W AVG., 28 V
Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% SINGLE W--CDMA
Probability on CCDF. RF LDMOS WIDEBAND
G PAE ACPR INTEGRATED POWER AMPLIFIERS
ps
Frequency (1) (dB) (%) (dBc)
920 MHz 36.6 16.1 --48.0
940 MHz 36.8 16.7 --48.7 CASE 1886--01
TO-
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