第四章 半导体光刻工艺技术基础.ppt

七、技术改进和新技术 概述 OPC 浸没式光刻 NGL 概述 OPC OPC OPC OPC 浸没式光刻 浸没式光刻 浸没式光刻 浸没式光刻 浸没式光刻 浸没式光刻 浸没式光刻 浸没式光刻 浸没式光刻 下一代光刻技术（NGL） 下一代光刻技术（NGL） 下一代光刻技术（NGL） 下一代光刻技术（NGL） 下一代光刻技术（NGL） 下一代光刻技术（NGL） Thanks！ * IC即Integrated Circuit (集成电路)的缩写.是利用硅平面加工技术,在晶圆表面集成数以万计的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor金属氧化物半导体场效应管)、电容、电阻等器件。 Key layer：STI 浅沟槽隔离工艺、POLY、Contact hole、Metal 1 * 作用？？？ * 一般65 奈米光罩層次可達45 層以上， 包含Active 一層光罩，Well 及Oxide 一至八層光罩，PolyGate 一層光罩，Source/ Drain五至七層光罩，Contact/Via 八至十二層光罩，Metal 八至十二層光罩，其他層次光罩一至五層． 在65奈米的光罩生產上若使用高斯電子束曝光系統,由於線路複雜,曝光一片光罩需要好幾星期時間,基於產能考量可變型電子束曝光系統遂被採用。圖2 將可變型電子束曝光系統分為三種, 第一種主要用於65 奈米光罩生產, 第二及第三種主要用於記憶體元件(如DRAM晶片)直描, * 光刻胶的种类 光刻胶的种类 光刻胶的种类 光刻胶的种类 光刻胶的种类 光刻胶的种类 光刻胶的种类 光刻胶特性概要 五、光刻机 概述 接近式光刻机 接触式光刻机 步进式光刻机 扫描式光刻机 相关光学专题 概述 接触式光刻机 接近式光刻机 步进式光刻机 相关光学专题 相关光学专题 相关光学专题 相关光学专题 相关光学专题 相关光学专题 相关光学专题 相关光学专题 相关光学专题 相关光学专题 相关光学专题 相关光学专题 六、光源 光源要求 光谱及光刻机光源 下一代光源 光源要求 光谱及光刻机光源 光谱及光刻机光源 光谱及光刻机光源 光谱及光刻机光源 下一代光源 半导体光刻工艺技术基础芯硕半导体(中国)有限公司 做世界一流产品 创世界一流品牌 Contents 半导体技术 光刻技术在IC制造中的作用 光刻的工艺流程 光刻胶 光刻机 光源 技术改进和新技术 一、半导体技术 半导体定义 半导体发展历史 半导体定义 常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）． 半导体五大特性∶电阻率特性，导电特性，光电特性，负的电阻率温度特性，整流特性。 半导体的应用，按照其制造技术可以分为：集成电路（IC）器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类 半导体发展历史 1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低（负电阻率温度特性）。这是半导体现象的首次发现。 1839年，法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压--光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。 1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。 1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。 1911年考尼白格和维斯首次定义半导体这个名词。 1947年12月由贝尔实验室完成四特性的总结并最终应用。 二、光刻技术在IC制造中的作用 何谓集成电路IC IC芯片剖面图 单层制造流程简述 光刻设备在IC制造中的作用 何谓IC---集成电路 IC:用硅的体电阻做电阻，用P-N结形成电容；所有有源和无源器件器件都集合到一个半导体材料上。 1958年9月，TI公司的Jack S.Kilby第一次将所有元器件（12个元件）都集合到一个的半导体材料上,产生第一块集成电路。2000年度荣获诺贝尔物理学奖。 现在，超大规模集成电路，一个芯片可以容纳百万个元件。 IC芯片剖面图（多层） N-Well P-Well P+ P+ N+ N+ IMD 1 IMD2 M2 M1 V1 MT PA OX PA SION VIA AL Pad Local (‘’Nano’’ realm) Intermediate Global Litho Key layers: STI、 POLY、C.H.、M1 图: 一个CMOS器件的剖面示意图。 光刻设备在IC制造中的作用 ----IC电路单层制造流程简介