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1.順向偏壓 ………………………………………………………………………….… 2-5　二極體之偏壓 (1)直流電壓之正極接於P （陽極）端，負極接於N （陰極）端。 (2)若順向偏壓大於障壁電壓，則有順向電流 （方向由P型到N型）。 節目錄 2. 逆向偏壓 (1)直流電壓之正極接於N 端，負極接於P 端。 (2)有一極小量的電流，稱為逆向飽和電流IS。 (3)二極體所能承受而不致於產生崩潰效應的最大逆向耐壓值，稱為逆向峰值電壓（簡稱PIV）。 1.理想二極體 ………………………………………………………………………….… 2-6　二極體之等效電路模型 節目錄 2.定值電壓模型（含障壁電壓） (3)定值電壓模型是考慮了障壁電壓，忽略了順向內阻。 3.片斷線性模型（含障壁電壓及順向內阻） (1)在順向特性曲線上，利用直的線段來近似於二極體的特性曲線。 1. 稽納二極體的符號與等效電路 ………………………………………………………………………….… 2-7　稽納二極體 節目錄 (2)摻雜之濃度增加時，稽納電位將隨之降低。 (3)工作於逆向崩潰區，供穩壓用。 2.稽納二極體特性 (1)特性 順向偏壓：與一般二極體相同。 (3)崩潰方式 3.稽納二極體的應用 (1)負載變動的電壓調整 ? ? (2)輸入電壓變動的輸出電壓調整 ? ? ? ? 1.LED之電路符號、偏壓安排及電發光過程 ………………………………………………………………………….… 2-8　發光二極體 節目錄 (1)在順偏的P-N接合面，在靠近接面處會發生電子與電洞的復合作用，使自由電子所具有的能量轉變成熱能或光子的形式放射出來。 (2)材料：磷砷化鎵（GaAsP）或磷化鎵（GaP）。 2.LED典型的特性曲線（一） (1)圖(a)中，LED有較大的　電壓（約為1.7~3.3V）。 (2)圖(b)中，LED的相對發光強度與順向電流成正比關係。 (3)圖(c)中，在某一特定頻率下脈波寬度愈寬時，容許的峰值電流愈低。 3.LED典型的特性曲線（二） (1)圖(d)中，顯示出LED的發光強度在0°（或正前方）時強度最大，在90°（從側面看）時強度最小。 (2)圖(e)中，為一典型紅色LED的光輸出與波長。 (3)圖(f)中，為紅外線的LED輸出，其波長以微毫米（nm）表示。 4.LED七段顯示器 (1)目前所使用的LED有紅光、綠光、黃光、橙色光以及白色光等多種。 (2)使用的材料決定發射光的光譜分布。 (3)LED具有快速的響應時間、低消耗功率、壽命長及耐震等特性。 5. LED的應用 (1)主要當作指示燈及數字顯示器。 (2)廣泛使用在儀器、消費性產品及科學儀器上（諸如廣告看板、交通號誌、車用頭尾燈、手機等）。 按一下以編輯母片標題樣式 按一下以編輯母片 第二層 第三層 第四層 第五層 * 第 2 章　二極體 …………………………………………………………… 2-5 二極體之偏壓 2-4 二極體之特性曲線 2-3 P-N接面二極體 2-2 P型及N型半導體 2-1 本質半導體 2-6 二極體之等效電路模型 2-7 稽納二極體 2-8 發光二極體 1.原子結構 （原子不帶電　呈電中性） 原子核（帶正電） 原子核外 質子（帶正電） 中子（不帶電、中性） 電子（帶負電） 繞原子核外之軌道運行 2.電子軌道的電子排列 每一能層所能容納的最大滿額電子為　　，其中 n 表示該能層的層數。 ………………………………………………………………………….… 2-1　本質半導體 節目錄 3. 矽（Si）與鍺（Ge）的原子結構 K L M N 矽（14） 2 8 4 鍺（32） 2 8 18 4 層次 半導體 (1)矽與鍺為最主要的半導體材料。 (2)矽的原子序數為14，鍺的原子序數為32。 (3)矽與鍺最外層之電子數目都是4個，為四價元素。 4.電子電洞對 (1)在絕對零度0K時，晶體的作用有如一絕緣 體。 (2)電子由價帶進入傳導帶所需的能量，鍺約 為0.7eV，矽約為1.1eV。 5.電子與電洞之移動 (1)圖中，空圓圈代表一個電洞。 (2)在本質半導體中，電子載子的濃度與電洞載子的濃度相等。 1.P型材料 ………………………………………………………………………….… 2-2　P型及N型半導體 節目錄 (1)摻入雜質（三價元素）：硼（B）、鋁（Al）、 鎵（Ga）、銦（In）等。 (2)受體：雜質原子接受電子而促使電洞的活動。 (3)電性：中性。 (4)多數載子：電洞；少數載子：自由電子。 (5)公式： 自由負電荷濃度　與正電荷濃度　之乘積，在 熱平衡下，與摻入之雜質