铁电存储器与相关物理问题.ppt

铁电存储及相关的物理问题   朱劲松 南京大学固体微结构物理实验室jszhu@nju.edu.cn 铁电体的基本特性 。存在自发极化P，且自发极化有两个或多个可能的取向，其取向可以随电场而改变。 。有一电滯回线 。TC 居里温度 。热释电，压电，电光，声光，非线性光学，铁电,介电性能 铁电体的应用 铁电存储器工作原理 当外加电场退到零时，在铁电体上仍然保留剩余极化电荷Ｐr 利用两个稳定的极化状态：正，负Ｐr　为 Bolean Algebra 中的编码１或０达到存储信息的目的　 　　 铁电存储器的发展 1921年发现铁电性。 稳定极化+Pr -Pr　　　可为1，0编码 1950，60 年代，使用铁电体材料，矫顽场高 电压 大于 100V 1970年代， 薄膜制备技术发展，使用 电压降低 *IBM Batra Silverman Solid State Comm.11,291,1972，d 400 nm 退极化场将使极化不稳 停止了IBM所有铁电薄膜的工作 *Tilley Zeks Solid State Comm. 49,823,1984 分析了Pr随Z的关系， 重新研究开始 To低于体材料，存在一最小的d值 铁电存储器的发展 非挥发铁电随机存取存储器（NVFeRAM）和铁电动态随机存取存储器（DRAM）是近十年来发展最快的存储器之一。 铁电薄膜存储器具有体积小、重量轻，耐辐射，使用电压低，易与硅集成等优点，是当前与半导体、磁存储器并列的重要的存储器之一。近五年来已逐渐走向商业化。低密度的存储器已大量在IC卡、Smart卡中使用 1980年代NvFeRAM发展动力来自美国军方. 美军用飞机使用的非挥发存储器[原图来自North America Defence Center(NDAC)1988] 军用飞机中使用的存储器 抗辐射，卫星，航天飞机 (Science 246,1440,1989) 96K EEPROM 嵌入式雷达预警接收器 96K EEPROM 电子计数测量接收器 8M EEPROM 可移动座仓计录器 36M SRAM 或EEPROM 主体计算机（SRAM） 16K EEPROM 导弹存储器 200M Bubble 存储器 飞行事故记录器 铁电存储器应用 1999年美国军用支持减少。 FeRAM 应用转移到商用。 1999年：4-64Kbit Smart card 代替 EEPROM 2000-2001年Mbit 代替SRAM， DRAM ， Flash 存储器 铁电存储器（NvFRAM)嵌入硅微控制器（a single chip) 嵌入器件 可用于家用电器（洗衣机，洗碗机，干燥器，烘烤炉） 存储密度中等。 大的市场：4 Mbit 数码相机，256Mbit 音頻存储器 Sony 游戏站 PS2 (2003) 1988-1998数字存储器(cost/bit-access time) 1999存储器cost/bit—access time 铁电存储器的发展动力 微电子领域本世纪最现实、最迫切的发展方向是由集成电路（IC）向集成系统（IS）方向的转变。芯片系统（SOC：system on chip）是当前微电子科技与IC产业发展的关键问题。用于SOC的新一代嵌入式铁电存储器是近几年国际上发展的热点。Sony公司最近已将4kbit的铁电存储器作为嵌入式存储器在不久前推出的PS2游戏机中广泛加以应用。而松下电器（MEI）半导体公司已将铁电随机存取存储器（FeRAM）定位为支持芯片系统 (SOC)业务的关键技术。 铁电存储器(1) 非挥发性铁电随机存储器（NvFeRAM)(Non-volatile Ferroelectric Random Access Memory) 即使在电源中断的情况，存储的信息也不会丢失 铁电体不仅作为电容而且是存储器的一部分 低电压运作（1.0-5.0V), 低功耗 小尺寸， 仅为EEPROM单元 的20% 抗辐射。（军用，卫星通讯） 高速：200ns 读取时间 易与其它Si器件集成 不同存储器的性能比较 非接触IC卡Chip 性能比较 铁电存储器(FeRAM)的电路结构（1） 1T-1C 式结构 1个晶体管（场效应管）和1个电容（铁电体为介质）组成一存储器单元 当电容中有不同电荷时，场效应管输出不同信息 铁电存储器(FeRAM)的电路结构（2） 2T-2C结构 由两个场效应管两个电容构成一存储器记忆单元 通过比较两边的输出而得出存储的信息 2T/2C与1T/1C比较 FeRAM器件结构 FeRAM器件结构 Son