基本操作与特性： (n-通道空乏型MOSFET).PPT

* Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. * § 6-4 JFET的特性規格表 摩托羅拉(Motorola)所提供之2N5457 n-通道 JFET 之特性規格表： 2N5457 外殼29-04, 形態5 TO-92 (TO-226AA) ??? 1 汲極 3 閘極 2 源極 JFETs 一般用途 N-通道－空乏 最大功率消耗方程式： PD=VDSID 2N2844 外殼22-03, 形態12 TO-18 (TO-226AA) ???(外殼) 3 汲極 2 閘極 1 源極 一般用途之 p-通道 JFETs (頂帽連接器之型態) 外殼結構與端點指示： Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. * § 6-4 JFET的特性規格表 Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. * § 6-4 JFET的特性規格表 線性放大器設計 之 正常操 作範圍： ?特性規格表 與 每一VGS 大小 之夾止範 圍所定義的曲線 可規範 汲極特性之線 性放大操作區域。 ?歐姆區 定義 每一VGS 之 最小允許VDS 之值。 夾止範圍之軌跡 (IDmax) 歐 姆 區 放大器設計 之 正常操作區域 Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. § 6-5 儀表 * 2N4416 JFET 顯示在 曲線循跡器 之 汲極特性： VGS = 0V → ID = IDSS ID = ? IDSS → VGS ? 0.3Vp ID = 0mA → VGS = Vp (每步級) →VGS = 0V,-0.5V,-1V,-1.5V,-2V 此為 n-通道裝置, 設定顯示 五步級 --- 十步級? ps：當VGS 愈變愈負時，曲線間的距離愈縮減。 Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. § 6-6 重要關係式 * 待定參數 分析結構起點→ Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. 基本結構 (n-通道 空乏型 MOSFET)： ?SiO2 是一種 特殊的絕緣體 被稱為 電介質，當 有外加電場時 即在 電 介質內 建立起 反向電場。 ?SiO2 之絕緣層 導致 裝置極高之輸 入阻抗，值與典型之JFET差不多。 → 直流偏壓結構下 IG = 0A ?閘極與通道間 的絕緣層 導致裝置