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2017-06-25 发布于河南
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HGTG20N60B3;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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HGTG20N60B3;中文规格书,Datasheet资料

HGTG20N60B3 Data Sheet October 2004 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs Features The HGTG20N60B3 is a Generation III MOS gated high o • 40A, 600V at TC = 25 C voltage switching devices combining the best features of • 600V Switching SOA Capability MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state • Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at 150oC conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on- • Short Circuit Rated state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. • Low Conduction Loss • Related Literature The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount conduction losses are essential, such as: AC and DC motor Components to PC Boards” controls, power supplies and drivers for solenoids, relays Packaging and contactors. JEDEC STYLE TO-247 Formerly developmental type TA49050. E