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2017-06-25 发布于河南
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ZXMN0545G4TA;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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ZXMN0545G4TA;中文规格书,Datasheet资料

ZXMN0545G4 450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mA DESCRIPTION This 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a variety of Telecom and general high voltage circuits. FEATURES SOT223 • High voltage • Low on-resistance • Fast switching speed • Low gate drive • Low threshold • SOT223 package variant engineered to increase spacing between high voltage pins APPLICATIONS • Off-line power supply start-up circuitry ORDERING INFORMATION DEVICE REEL SIZE TAPE WIDTH (mm) QUANTITY (inches) PER REEL N/C ZXMN0545G4TA 7 12mm embossed 1,000 units ZXMN0545G4TC 13 12mm embossed 4,000 units DEVICE MARKING PINOUT - TOP VIEW ZXMN 0545 ISSUE 1 - JANUARY 2006 1