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半导体物理 导论 晶体 单晶：原子三维方向内周期性排列 多晶：短程有序，长程无序 非晶体：长程、短程均无序 晶格结构：金刚石（面心立方：晶胞中顶点，面心，均有一原子，晶胞内有四个原子） 米勒指数：描述晶面的方向（取晶面的截距倒数的最小公倍数） 能带 半导体导电的载流子：电子和空穴。 能级分裂（了解）：泡利不相容原理的必然结果，电子居于不同的量子态（量子态由各量子数确定） 价带和导带的形成（了解）：多个原子相互靠近时，电子的共有化运动，能级分裂（允带，禁带），能带分裂，下价带，上导带。 准连续的价带和导带 半导体、金属、绝缘体的能带结构图 满带电子不导电 能带 本征与非本征半导体 本征半导体即纯净半导体，无杂质。99.99999% 非本征半导体掺有一定量的杂质 施主（（除N）V族）及受主杂质（B），单一的半导体材料，以及GaAs这种二元半导体器件。 施主杂质与受主杂质的划分：施/受主原子代替SI后，会有一个多余的价电子/缺少一个价电子，使得半导体的导电特性发生显著改变，，以导电类型区分n型与p型半导体。 补偿半导体：同时掺杂施主与受主杂质，具体导电类型以掺杂后的浓度为准。 平衡载流子 费米能级 非平衡载流子 载流子的复合（了解） 载流子的漂移 载流子的漂移 载流子的扩散 金半接触 金属与半导体的功函数与接触电势差 功函数即电子溢出至真空的最小能量，当金属与半导体相互接触时，电子或空穴发生移动形成接触电势差。 阻挡区与反阻挡区（阻挡区即阻挡电子或空穴从半导体移动至金属，反阻挡区反过来） 肖特基势垒（阻挡层）的整流特性（即阻挡层外加反向偏压时，反向电流很小趋于饱和） 金半接触 外加电压对n型阻挡层的影响： 外加反向电压时整流接触 此时的I-V曲线： 金半接触 金半接触 高电场下，肖特基势垒大大降低。肖特基势垒取决于外加偏压。掺杂浓度较高也会导致势垒高度下降量增大。 镜像力与隧道效应对反向特性的影响尤其显著，降低势垒高度和增加反向电流。 隧道效应的隧道电流占主导地位，金属与半导体之间的接触电阻很小，形成欧姆接触（重掺杂的半导体与金属接触） MIS结构 理想MIS结构： 1金属与半导体之间功函数差为零 2绝缘层内没有电荷且绝缘层完全不导电 3绝缘体与半导体界面处无表面态 表面势：半导体表面相对于体内的电势 MIS结构外加偏压后，半导体表面的表面势？ 多子耗尽，反型，强反型的界定。 MIS结构下各种偏压下能带图以及电荷分布 反型 临界反型与强反型 强反型条件：表面少子浓度超过体内多数载流子浓度。 平带电压开启电压 C-V特性