第一章半导体物理基础.pptVIP

半导体物理基础 参考书籍：国防工业出版社，刘恩科，《半导体物理》 半导体材料 半导体(semiconductor)，顾名思义就是指导电性介于导体与绝缘体的物质 半导体材料 半导体中的电子状态和能带--晶体中的电子状态 1、电子共有化运动 原子中的电子在原子核的势场和其它电子的作用下，分列在不同的能级上，形成所谓电子壳层 ?不同支壳层的电子分别用1s;2s,2p;3s,3p,3d;4s…等符号表示，每一壳层对应于确定的能量。 当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠，相邻原子最外壳层交叠最多，内壳层交叠较少。 半导体中的电子状态和能带——能带论 定性理论（唯象物理概念）：晶体中原子之间的相互作用，使能级分裂形成能带。 定量理论（量子力学计算）：电子在周期场中运动，其能量不连续形成能带。 半导体中的电子状态和能带---晶体中的电子状态 1 、 原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动。这种运动称为电子的共有化运动 注意：各原子中相似壳层上的电子才有相同的能量，电子只能在相似壳层间转移。 半导体中的电子状态和能带---晶体中的电子状态 2、电子共有化运动使能级分裂为能带 例如：两个原子相距很远时，如同孤立原子，每个能级都有两个态与之相应，是二度简并的 能级如图1-6(a)所示 半导体中的电子状态和能带---晶体中的电子状态 2、电子共有化运动使能级分裂为能带 互相靠近时，原子中的电子除受本身原于的势场作用，还受到另一个原子势场的作用 结果每个二度简并的能级都分裂为二个彼此相距很近的能级；两个原子靠得越近，分裂得越厉害。 图 (b)示意地画出了八个原子互相靠近时能级分裂的情况。可以看到．每个能级部分裂为八个相距很近的能级。 如图所示为大量相同的原子靠得很近形成晶体材料之后，原来相同的电子能级就会发生分裂，变成一系列离散的能级，这些离散的能级形成能带，其中的r0代表平衡状态下晶体中的原子间距。 半导体中的电子状态和能带---半导体硅、锗晶体的能带 2、 硅、锗晶体能带的形成 N个原子结合成的晶体，最外壳层共有4N个电子， 根据电子先填充低能这一原理，下面一个能带填满了电子，它们相应于共价键中的电子，这个带通常称为满带或价带；上面一个能带是空的，没有电子，通常称为导带；中间隔以禁带。 半导体中的电子状态和能带---半导体硅、锗晶体的能带 3、半导体能带的特点： ?存在轨道杂化，失去能级与能带的对应关系。杂化后能带重新分开为上能带和下能带，上能带称为导带，下能带称为价带 ?低温下，价带填满电子，导带全空，高温下价带中的一部分电子跃迁到导带，使晶体呈现弱导电性。 ?导带与价带间的能隙（Energy gap）称为禁带（forbidden band）.禁带宽度取决于晶体种类、晶体结构及温度。 ?当原子数很大时，导带、价带内能级密度很大，可以认为能级准连续 半导体中的电子状态和能带——能带论 4、能带理论的应用 能带（energy band）包括允带和禁带。 允带（allowed band）：允许电子能量存在的能量范围。 禁带（forbidden band）：不允许电子存在的能量范围。 半导体中的电子状态和能带——能带论 4、能带理论的应用 允带又分为空带、满带、导带、价带。 空带（empty band）：不被电子占据的允带。 满带（filled band）：允带中的能量状态（能级）均被电子占据。 导带（conduction band）：电子未占满的允带（有部分电子。） 价带（valence band）:被价电子占据的允带（低温下通常被价电子占满）。 用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电 半导体中的电子状态和能带——能带论 4、能带理论的应用 金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的，所以金属是良好的导电体 半导体和绝缘体的能带类似，即下面是已被价电子占满的满带（其下面还有为内层电子占满的若干满带），亦称价带，中间为禁带，上面是空带。因此，在外电场作用下并不导电，但是这只是绝对温度为零时的情况。 半导体中导带的电子和价带的空穴参与导电，这是与金属导体的最大差别。 绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大的能量，在通常温度下，能激发到导带中的电子很少，所以导电性很差。 空穴的概念的引入 在0k时，所有的外层价电子都处于共价键中 （处于价带中，满带），因而不能导电。 空穴概念的性质 空穴的概念 ?价带中不被电子占据的空状态 ?价带顶附近空穴有效