第05章场效应管放大电路.pptVIP

* 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 * 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I 电流源偏置 VS ＝ VG － VGS （饱和区） * 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 * 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当，vgs 2(VGSQ- VT )时， * 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 ??0时 高频小信号模型 * 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） 假设工作在饱和区 满足 解： * 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） s * 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） 共漏 * 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 end * 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 * 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ * 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 * 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? * 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， ID的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP * 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 * 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 1. 输出特性 * 与MOSFET类似 3. 主要参数 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 * 5.3.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 （1）低频模型 * （2）高频模型 * 2. 动态指标分析 （1）中频小信号模型 * 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rds， 由输入输出回路得 则 通常 则 end * 场效应管放大电路分析 （1）偏置电路及静态分析 * 分压式自偏压电路 直流通道 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－ID(R+Rd ) 由此可以解出VGS、ID和VDS。 (1)直流分析 * (2)交流分析 小信号等效电路 ①电压放大倍数 ②输入电阻 ③输出电阻 * 解： 画中频小信号等效电路 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电。 * 例题 则电压增益为 由于 则 end 根据电路有 * *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 本节不做教学要求，有兴趣者自学 * 5.5 各种放大器件电路性能比较 * 5.5 各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG 电压增益： BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： * 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 5.5 各种放大器件电路性能比