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第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 第6章 二极管及整流电路 二、电感滤波器 利用电感的储能作用减小输出电压的脉动 三、滤波器网络 RCπ型滤波器 LCπ型滤波器 双L型滤波器 §6 稳压管及稳压电路 一、稳压二极管 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性来实现稳压作用的半导体元器件 特性参数： 稳定电压UZ 动态电阻rZ 稳定电流IZ 额定功耗PZ 电压温度系数α 二、稳压管稳压电路 1、输入电压不变，负载变化时 2、负载不变，输入电压发生变化时 输出电压基本保持稳定 利用稳压管所起的电流调节作用，通过调节限流电阻上的电流及电压变化，达到使输出电压基本保持稳定的目的。 * * §1 半导体基础..............................02 §2 PN 结.......................................08 §3 半导体二极管...........................14 §4 单相整流电路...........................25 §5 滤波电路..................................30 §6 稳压管及稳压电路...................33 §1 半导体基础 一、半导体 导体 半导体 绝缘体 光敏特性 杂敏特性 热敏特性 正四面体结构中四个原子分别处在正四面体的四个顶角上，任意顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有，形成共价键 。 正四面体结构图 晶体结构平面示意图 二、本征半导体 本征半导体就是指纯净的、未掺杂任何杂质并且没有晶格缺陷的完整的半导体。 共价键结构中，原子最外层拥有八个电子并处于相对稳定状态，但在一定条件下，外层电子可能受到激发成为自由电子。并在其原来所在的晶格原子的外层轨道上留下一个空位，叫做空穴。空穴和自由电子都可称为本征半导体中的载流子， 其定向移动形成半导体中的电流。 在热能、外电场或其他能量激发下，自由电子不断产生。当自由电子移动到一个空穴附近，就会填补到这个空穴上，该过程叫做复合。 三、杂质半导体 N型半导体 P型半导体 N型半导体 在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的V族元素（例如磷P），在本征硅晶体结构没有发生改变的前提下，硅晶体中某些位置的硅原子被磷原子取代。 具有多余电子的半导体材料。 自由电子为多数载流子（简称“多子”），空穴为少数载流子（简称“少子”）。 P型半导体 在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的III族元素（例如硼B），在本征硅晶体结构没有发生改变的前提下，硅晶体中某些位置的硅原子被硼原子取代。 空穴为 多子，自由电子为 少子。 注意： 无论N型半导体还是P型半导体都是电中性，对外不显电性。 §2 PN 结 一、PN结的形成 PN结 ：在同一片半导体基片上P型半导体材料和N型半导体 材料相结合的区域。 P区与N区中载流子的扩散运动 平衡状态下形成空间电荷区 扩散运动 扩散电流 浓度差异 空间电荷区 内电场 漂移运动 漂移电流 一个稳定的PN结，其内部的总电流为零，并且空间电荷区的宽度相对稳定 二、PN结的特性 1、PN结单相导电性 PN 结 P 区电位高于 N 区电位的情况称为正向偏置 内电场减弱，扩散大于漂移，形成正向电流 PN 结 N 区电位高于 P 区电位的情况称为反相偏置 内电场加强，扩散停止，少量漂移，形成较小反向电流 2、PN结伏安特性 反向击穿电压 反向漏电流，μA级 导通压降，硅