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FDC6305N;中文规格书,Datasheet资料
F
D
March 1999 C
6
3
0
5
N
FDC6305N
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
General Description Features
These N-Channel low threshold 2.5V specified • 2.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.08 Ω @ VGS = 4.5 V
MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors
advanced PowerTrench process that has been RDS(ON) = 0.12 Ω @ VGS = 2.5 V
especially tailored to minimize on-state resistance and
yet maintain low gate charge for superior switching • Low gate charge (3.5nC typical).
performance.
• Fast switching speed.
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