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汕头华汕电子器件有限公司主要用途外形图及引脚排列极限值电
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
汕头华汕电子器件有限公司
HFH9N90 对应国外型号
█ 主要用途 █ 外形图及引脚排列
高压高速电源开关。 TO-3P
█ 极限值 （T =25 ℃）
a
T s t g ——贮存温度…………………………………………… -55~150 ℃
Tj ——结温………………………………………………………… 150 ℃
1―栅 极 G
V D S S ——漏极—源极电压……………………………………………900V 2 ―漏 极 D
3 ―源 极 S
V G S ——栅极—源极电压………………………………………… ± 30V
I ——漏极电流（T =25 ℃）…………………………………………………9A
D c
IDM ——漏极电流（脉冲）（注1）………………………………………… 36A
P ——耗散功率（T =25 ℃）………………………………………280W
D c
█ 电参数 （T =25 ℃）
a
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件
BVDSS 漏—源极击穿电压 900 V ID=250μA，VGS=0
IDSS 零栅压漏极电流 1 μA VDS=900V，VGS=0
IGSS 栅极泄漏电流 ±100 nA VGS=±30V，VDS=0
VGS（th） 栅—源极开启电压 3.0 5.0 V VDS=VGS，ID=250μA
RDS（on） 漏—源极导通电阻 1.1 1.4 Ω VGS=10V，ID=4.5A
Ciss 输入电容 2200 pF
Coss 输出电容 180 pF VDS=25V，VGS=0，f=1MHz
Crss 反向传输电容 15 pF
Td（on） 导通延迟时间 60 ns
Tr 上升时间 130 ns VDD=450V，ID=9A（峰
Td（off） 断开延迟时间 110 ns 值），RG=25Ω（注2）
Tf 下降时间
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