浙江省2009年7月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码02340.docVIP

浙江省2009年7月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1.在P型半导体中，导电时以______为主。 2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于______。 3.晶体三极管工作在放大区时，IC=______IB。 4.晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和______结反向偏置。 5.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈______关系。 6.通常将开始形成反型层所需的VGS值称为______电压。 7.三种晶体三极管基本组态放大电路中，______组态输入电阻最小。 8.已知某晶体三极管的高频参数fT、β，则共基截止频率fα约为______。 9.需要一个阻抗变换电路，其输入电阻小，应引入______负反馈电路。 10.为充分提高负反馈的效果，串联负反馈要求信号源内阻______。 二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的载流子是指（ ） A.自由电子 B.空穴 C.离子 D.自由电子和空穴 2.稳压二极管在稳压状态时，它的PN结处在______状态。（ ） A.反向截止 B.反向击穿 C.正向导通 D.零偏 3.测得三极管IB=30μA时，IC=2.4mA，而IB=40μA时，IC=3mA，则该管的交流电流放大倍数为（ ） A.80 B.60 C.75 D.100 4.晶体三极管的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应？（ ） A.饱和区 B.截止区 C.放大区 D.击穿区 5.根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种______器件。（ ） A.电压控制电压源 B.电流控制电压源 C.电压控制电流源 D.电流控制电流源 6.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（ ） A.P沟道耗尽型MOS管 B.N沟道耗尽型MOS管 C.P沟道增强型MOS管 D.N沟道增强型MOS管 7.共集电极放大电路的特点之一是（ ） A.输入电阻高 B.电压增益大 C.输入输出反相 D.输出电阻高 8.集成运算放大器实质上是一种（ ） A.交流放大器 B.高增益的交流放大器 C.高增益的直接耦合放大器 D.高增益的高频放大器 9.负反馈可以改善放大器的性能，问关于放大器下述哪种说法不正确？（ ） A.减少放大器的增益 B.改变输入电阻 C.改变输出电阻 D.改善信号源的噪声系数 10.某放大电路的电压增益为40dB，而加入负反馈后变为6dB，它的反馈深度F为（ ） A.30dB B.34dB C.46dB D.50dB 11.温度增加时，在ID不变的情况下，晶体二极管的VD（on）将（ ） A.增大 B.减小 C.不变 D.未知 12.已知某晶体三极管的β=99，则该管的共基电流放大系数α为（ ） A.1.00 B.0.995 C.0.99 D.0.985 13.当场效应管的VGSVGS(th)时，则该管工作在（ ） A.饱和区 B.非饱和区 C.击穿区 D.截止区 14.要求晶体管工作在放大区，若是NPN晶体管，则三个电极电位VB、VE、VC之间应满足何种关系？（ ） A.VCVBVE B.VCVEVB C.VCVBVE D.VCVEVB 15.反馈放大器工作在开环状态是指（ ） A.考虑信号源作用 B.接入反馈网络 C.断开反馈网络 D.考虑负载作用 三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分) 1.一个晶体管处在放大状态，已知其三个电极的电位分别是5V、9V和5.2V。试判别三个电极，并确定该管的导电类型和所用的半导体材料。 2.图三（2）所示电路中，已知VGS=-2V，IDSS=4mA，VGS（off）=-4V，试分析计算ID和电阻RS1的值。 图三（2） 3.电流源电路如图三（3）所示，已知各晶体管的特性一致，VBE(on)=0.7V,β=100,|VA|=100V,试求：（1）I0的值，（2）当R2=0时，交流输出电阻Ro2的值。 图三（3） 四、分析计算题(本大题共5小题，每小题9分，共45分) 1. 两级放大电路如图四（1）所示。已知三极管的β=50,rbe=1kΩ,VBE=0.7V,各电容器的电容量都足够大。试计算放大器的 (1)中频电压增益Av; (2)输入电阻Ri; (3)输出电阻Ro。