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第3章 光源与光检测器 ;3.7 DFB和DBR激光器 3.8 调谐激光器 3.9 其他类型的激光器 3.10 激光器组件 3.11 半导体LED 3.12 光检测器 3.13 PIN 3.14 APD 习题三; 3.1 半导体LD的工作原理 ; 考虑一个具有二能级的原子系统， 能级为E1和E2， 且E2E1， 如果照在其上的光波频率为fc， 且光子的能量hfc满足hfc=E2-E1, h为普郎克常数， h＝6.63×10-9(J·s)， 则引起原子在不同的能级E1和E2之间的跃迁， E1→E2 和E2→E1之间的跃迁是同时发生的。 原子吸收了光子的能量从E1跃迁到E2， 原子从E2跃迁到 E1放出一个光子， ; 其能量与入射光子的能量hfc一样， 前者称为受激吸收， 后者称为受激辐射， 它与自发辐射是不同的， 它们合称为光与物质之间的三种相互作用, 即自发辐射、 受激吸收、 受激辐射。 如果受激辐射超过受激吸收而占主导地位， 则入射的光信号会引起 E2→E1之间的跃迁多于E1→E2 之间的跃迁， 导致了能量为hfc的光子数的净增加， 入射的光信号得到了放大， 如图 3.1所示； 否则， 光信号将被衰减。 ;图3.1 二能级原子系统的受激辐射与吸收 ; 根据物理学原理可知， 每个原子的E1→E2的跃迁速率和E2→E1的跃迁速率是一样的， 可以用r表示。 如果假设能级E1和E2上的粒子数（电子的数目）分别为N1和N2， 则功率净增益（单位时间的能量）为（N2-N1）rhfc。 显然， 如果要实现信号放大， 该值必为正, 即（N2-N1）0,　N2N1。 这一条件称为粒子数反转分布。 之所以称为粒子数反转分布，　是因为在正常热平衡状态下， 低能级E1上的粒子数N1是大于高能级E2上的粒子数N2的,　入射的光信号总是被吸收。 ; 2. 半导体光放大（器） 尽管半导体光放大器用来放大光信号时的性能不如EDFA放大器（在第5章介绍）， 但实际上对它的研究比EDFA还早。 人们发现它除了用于光放大之外还可用于光开关、 波长变换器（这是光纤通信的两个关键器件）， 所以学习它也是理解半导体激光器（使用最广的发光器件）的基础。 ; 图3.2 给出了半导体光放大器SOA的框图。 SOA实际上是一个PN结， 由下面的分析可知， 中间的耗尽层实际上充当了有源区， 当光???过有源区时， 光由于受激辐射而得到了放大。 由于放大器的增益是波长的函数， 因而放大器有源区的两端面上镀有防反射涂层（AR）， 以减少放大器的带内增益波动。 而激光器没有防反射涂层（AR）。 ;图3.2 半导体光放大器的结构; 半导体光放大器SOA与EDFA放大器的不同在于实现粒子数反转分布的方式是不同的。 首先, 半导体SOA的粒子不是处于不同能级上的原子， 而是半导体材料中的载流子, 即电子或空穴。 半导体有两个由电子能级构成的能带： 一个是由许多能级构成的能量低的价带; 另一个是由许多能级构成的能量高的导带。 电子或空穴可以处在不同的能级上。 导带与价带之间称为禁带， 能量差为Eg， 中间不存在能级。对于一个P型半导体， 在热平衡状态下只有很少的电子位于导带中， 如图3.3 (a)所示。 类似前面的讨论, 将导带看作能量高的E2能级， 将价带看作能量低的E1能级， 这里的高低是指电子在能带上的能量。 ; 在粒子数反转分布情况下， 导带中的电子数是很多的， 如图3.3(b)所示。 这时如有光照射， 将有更多的电子通过受激辐射从导带跃迁到价带（当然是与通过受激吸收从价带跃迁到导带的电子数相比）， 实际上这就是半导体光放大器产生光增益或粒子数反转的条件。 ;图3.3 P型半导体的能带和电子数 (a) 热平衡; (b) 粒子数反转; 图3.4 用作放大器的正向偏置的ＰＮ结 (a) ＰＮ结； (b) 没有正向偏置电压时的少数载流子和耗尽层；  (c) 施加正向偏置电压Uf时的少数载流子和耗尽层; 半导体的粒子数反转分布可以通过对PN结加正向偏压来实现。 PN结由P型和N型半导体组成。 P型半导体是在半导体中掺入合适的原子， 如III族的磷P， 使它有多余的空穴。 相反， N型半导体中掺入合适的原子， 如VI族的铟In， 使其有多余的电子。 为了理解PN结， 可以将空穴理解为与电子一样的电荷载流子， 只是极性与电子相反。 当P型和Ｎ型半导体并行放置时， 如图3.4(a)所示， 则Ｐ型半导体中的空穴将向Ｎ型半导体