基于I_V特性阻变存储器阻变机制研究.pdf

纳 米 器 件 与 技 术 N anoelect ronic Device Technolo gy 基于 IV 特性的阻变存储器的阻变机制研究 1 ,2 1 1 1 ,3 1 李颖弢 , 刘 　明 , 龙世兵 , 刘 　琦 , 张 　森 , 1 ,2 1 1 1 2 王 　艳 , 左青云 , 王 　琴 , 胡 　媛 , 刘 　肃 ( 1. 中国科学院 微电子研究所 纳米加工与新器件集成技术实验室 , 北京 　100029 ; 2 . 兰州大学 物理科学与技术学院 微电子研究所 , 兰州 　730000 ; 3 . 安徽大学 电子科学与技术学院 , 合肥 　2 30039) 摘要 : 随着器件尺寸的缩小 , 阻变存储器 ( RRA M) 具有取代现有主流 Fla sh 存储器成为下一代 新型存储器的潜力 。但对 RRA M 器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧 , 直接 制约了 RRA M 的研发与应用 。通过介绍阻变存储器的基本工作原理 、不同的阻变机制以及基于 阻变存储器所表现出的不同 IV 特性 , 研究了器件的阻变特性 ; 详细分析了阻变存储器的五种阻 ( ) ( ) 变物理机制 , 即导电细丝 filament 、空间电荷限制电流效应 SCL C 、缺陷能级的电荷俘获和 释放 、肖特基发射效应 ( Schot t ky emi ssion) 以及普尔 - 法兰克效应 ( PoolFrenkel) ; 同时 , 对 RRA M 器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望 。 关键词 : 阻变存储器 ; 非挥发性存储器 ; IV 特性 ; 阻变机制 ; 工作原理 中图分类号 : TN304 . 2 1 ; TP333 . 8 　文献标识码 : A 　文章编号 : 167 1- 4776 (2009) 03- 0 134- 07 Resistive Switching Mechanisms f or Nonvolatile Resistive Random Access Memory Based on IV Characteristic Li Yingt ao1 ,2 , Liu Min g1 , Long Shibing1 , Liu Qi1 ,3 , Zhan g Sen1