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纳 米 器 件 与 技 术
N anoelect ronic Device Technolo gy
基于 IV 特性的阻变存储器的阻变机制研究
1 ,2 1 1 1 ,3 1
李颖弢 , 刘 明 , 龙世兵 , 刘 琦 , 张 森 ,
1 ,2 1 1 1 2
王 艳 , 左青云 , 王 琴 , 胡 媛 , 刘 肃
( 1. 中国科学院 微电子研究所 纳米加工与新器件集成技术实验室 , 北京 100029 ;
2 . 兰州大学 物理科学与技术学院 微电子研究所 , 兰州 730000 ;
3 . 安徽大学 电子科学与技术学院 , 合肥 2 30039)
摘要 : 随着器件尺寸的缩小 , 阻变存储器 ( RRA M) 具有取代现有主流 Fla sh 存储器成为下一代
新型存储器的潜力 。但对 RRA M 器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧 , 直接
制约了 RRA M 的研发与应用 。通过介绍阻变存储器的基本工作原理 、不同的阻变机制以及基于
阻变存储器所表现出的不同 IV 特性 , 研究了器件的阻变特性 ; 详细分析了阻变存储器的五种阻
( ) ( )
变物理机制 , 即导电细丝 filament 、空间电荷限制电流效应 SCL C 、缺陷能级的电荷俘获和
释放 、肖特基发射效应 ( Schot t ky emi ssion) 以及普尔 - 法兰克效应 ( PoolFrenkel) ; 同时 , 对
RRA M 器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望 。
关键词 : 阻变存储器 ; 非挥发性存储器 ; IV 特性 ; 阻变机制 ; 工作原理
中图分类号 : TN304 . 2 1 ; TP333 . 8 文献标识码 : A 文章编号 : 167 1- 4776 (2009) 03- 0 134- 07
Resistive Switching Mechanisms f or Nonvolatile Resistive Random
Access Memory Based on IV Characteristic
Li Yingt ao1 ,2 , Liu Min g1 , Long Shibing1 , Liu Qi1 ,3 , Zhan g Sen1
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