智能功率模块(IPM)驱动和爱惜电路(国外英文资料).docVIP

智能功率模块(IPM)驱动和保护电路(国外英文资料) 智能功率模块是智能功率模块（IPM）的缩写，是一种先进的功率开关器件，具有GTR（大功率晶体管）高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点，以及MOSFET（场效应晶体管）高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，使用起来方便，不仅减小了系统的体积以及开发时间，也大大增强了系统的可靠性，适应了当今功率器件的发展方向--模块化、复合化和功率集成电路（PIC），在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。本文以三菱公司pm100dsa120为例，介绍IPM的基本特性，然后着重介绍IPM的驱动和保护电路的设计。 1 IPM的基本工作特性 1.1 IPM的结构 IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，如图1所示。其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR、IGBT具有两者的优点因而。 IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类：H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。 1.2 IPM内部功能机制 IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠，缩短了系统开发时间，也提高了故障下的自保护能力。与普通的IGBT模块相比，IPM在系统性能及可靠性方面都有进一步的提高。 保护电路可以实现控制电压欠压保护、过热保护、过流保护和短路保护。如果IPM模块中有一种保护电路动作，IGBT栅极驱动单元就会关断门极电流并输出一个故障信号（FO）。各种保护功能具体如下： （1）控制电压欠压保护（UV）：IPM使用单一的+15供电，若供电电压低于12.5V，且时间超过托夫＝10ms，发生欠压保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。 （2）过温保护（OT）：在靠近IGBT芯片的绝缘基板上安装了一个温度传感器，当IPM温度传感器测出其基板的温度超过温度值时，发生过温保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。 （3）过流保护（OC）：若流过IGBT的电流值超过过流动作电流，且时间超过名士，则发生过流保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。为避免发生过大的di/dt，大多数IPM采用两级关断模式。 3。其中，VG为内部门极驱动电压，ISC为短路电流值，国际奥委会为过流电流值，IC为集电极电流，IFO为故障输出电流。 （4）短路保护（SC）：若负载发生短路或控制系统故障导致短路，流过IGBT的电流值超过短路动作电流，则立刻发生短路保护，封锁门极驱动电路，输出故障信号。跟过流保护一样，为避免发生过大的di/dt，大多数IPM采用两级关断模式。为缩短过流保护的电流检测和故障动作间的响应时间，IPM内部使用实时电流控制电路（RTC），使响应时间小于100ns，从而有效抑制了电流和功率峰值，提高了保护效果。 当IPM发生UV、OC、OT、SC中任一故障时，其故障输出信号持续时间TFO为1.8ms（SC持续时间会长一些），此时间内IPM会封锁门极驱动，关断IPM；故障输出信号持续时间结束后，IPM内部自动复位，门极驱动通道开放。 可以看出，器件自身产生的故障信号是非保持性的，如果TFO结束后故障源仍旧没有排除，IPM就会重复自动保护的过程，反复动作。 Over current, short circuit, overheat protection action is very harsh operating conditions, should avoid the repeated action, so to protect the internal circuit on IPM devices can not be fully realized self protection. In order to make the system truly safe and reliable operation, need the protection circuit design. The auxiliary 2 IPM driving circuit Driver circuit is the interface between IPM main circuit and control circuit, and the design of a good drive circuit is of great significance to the efficiency, reliability and security of the device Design of discrete driving circ