光缆中的氢损效应.pdfVIP

维普资讯 2002年第 6期 电线 电 缆 2O02年 12月 NO．6 2002 ElectricW ireCable Dec．，2002 光缆中的氢损效应 王 临堂 (上海 电缆研究所 ，上海 200093) 摘要 ：该文简述 了光缆 中氢损 的机理 、氢损 的来源和光缆用材料析氢量的检测 ；根据新 的IEC规范 ，介绍 了相 关光纤氢老化试验的程序和各种结构 的光缆在不同应用环境下氢损效应评价必要性 的导则 。 关键 词 ：光纤 ；光缆 ；氢损 中图分类号 ：TN818 文献标识码 ：A 文章编号 ：31—1392(2002)06—0003—02 Hydrogen inducedlossinopticalfibercables W ANG Lin—tang (ShanghaiElectricCableResearch Institute．Shanghai200093，China) Abstract：Themechanism andoriginofhydrogen inducedlossinopticalfibercablesaswellasdetection of hydrogenescapefrom cablematerialsarepreented．Thenecessaryguidanceforthetestprocedureforhydro— genageingofopticalfibersandevaluationofhydrogen lossin individualcableconstructionsunderdifferent applicationsisdescribedwithreferencetOnew IEC standards． Keywords：opticalfiber；opticalfibercable；hydrogen inducedloss 上世纪 8O年代初期人们发现敷设两年多的光 方根相关。不同光纤对这种效应的敏感性有明显的 缆 ，其光纤损耗有 了大幅度的增加 。尔后通过大量 的 差异 ，单模光纤较多模光纤要低 2～3个数量级。 实验及理论研究得知，这是 由于氢气渗入光纤 ，与玻 璃体发生作用 ，产生附加吸收损耗 ，俗称 “氢损 ”的缘 故 。 l 氢损 的机理 如图 la)所示 ，氢分子向SiO 光纤 中扩散，渗入 的游离氢在室温下被 SiO 网格所捕获 ，在局部电场 作用下氢分子中形成了偶极矩 ，并 由氢的振动产生 附加的吸收损耗 。与普通分子间的连接键相 比，网格 图 1 氢气 向光纤的渗入 的捕捉力相对较弱 ，若去除光纤的氢气环境 ，氢分子 就会逃出SiO 网格 ，光纤损耗恢复原值。因此这是 2 氢损的来源 一 种间歇效应 ，产生的氢损是可逆 的。该效应对单模 无论是单模光缆还是多模光缆 ，在使用寿命 内 光纤和多模光纤是类同的，氢损的大小与氢气 的分