微机 第5篇存储器(2010.09).pptVIP

微机原理与接口技术 主讲教师: 李朝纯 licaoc@whut.edu.cn 第 5?章????? 存储器原理与接口 本章提要： 本章主要介绍构成内存的各类半导体存 储器的工作原理（包括随机存取存储器和 只读存储器），各类半导体存储器的接口 电路及其设计方法，要求读者在掌握各类 半导体存储器芯片的工作原理和接口电路 的基础上，掌握各类存储器的外部特征， 掌握各类存储器接口与CPU的连接方法， 各类存储器的地址译码方法，并能够设计 各类存储器接口电路。 5.1 半导体存储器的分类 5.1.1 按制造工艺分类 ? 双极型存储器以晶体管触发器为基本存储元，速 度快，但集成度低，功耗大，价格高，一般用作 高速缓冲存储器或小容量主存储器。 ? MOS存储器因集成度高，功耗低，价格低等特点， 广泛用作主存储器。 5.1.2 按存取方式分类 1. RAM (Random Access Memory)读写存储器 RAM是一种既可读又可写的易失性存储器，断电 后所存信息将全部丢失，通常用来暂存运行的程 序和数据。 RAM分为静态随机存取存储器SRAM(Static Random Access Memory)和动态随机存取存储器DRAM (Dynamic Random Access Memory)。 SRAM采用双稳电路存储信息，DRAM采用电容上的 电荷存储信息，因此SRAM的速度更快。 DRAM的集成度高，功耗和价格更低。由于DRAM中 的信息会随电容上电荷的泄露而丢失，所以DRAM 必须定时刷新。 2. ROM (Read Only Memory)只读存储器 ROM是一种在工作过程中只能读不能写的非易失性 存储器，断电后信息不会丢失,通常用来存储固定 不变的程序和数据，如引导程序、基本输入输出系 统程序等。 ROM按其性能可分为以下几类： 1）掩模工艺ROM 它是由芯片制造厂根据ROM要求存储的信息，制 造成固定的半导体掩模版生产的。 2）可一次编程PROM 3）可擦除的PROM 允许用户对ROM进行多次编程，即可擦除。 4）Flash存储器 5.2 多层存储结构概念 1.要求： 系统对存储器的要求是容量大、速度快、成本低，但这三者 在同一个存储器中不可兼得。 2.解决： 采用分级存储器结构，通常将存储器分为高速缓冲存储器、 主存储器和外存存储器三级。 5.3 主存储器及存储控制 5.3.1 主存储器 1. 主存储器的主要性能指标 存储容量：存储容量是指存储器所能存储二进制数码的数 量，即所含存储元的总数。 通常表示为：芯片的存储单元数×存储单元的位数。 存取时间：存储器的速度是用存储器存取时间来衡量的， 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该 操作所经历的时间。 功耗：功耗通常是指每个存储元消耗功率的大小，单位为 微瓦/位（μW/位）或者毫瓦/位（mW/位）。 可靠性：可靠性一般是指对电磁场及温度变化等的抗干扰 能力，一般平均无故障时间为数千小时以上。 价格： 2.主存储器的基本操作 5.3.2 主存储器的基本组成 图5.4 六管静态存储单元电路 图5.5 单管动态存储单元 基本组成 1.存储体（存储矩阵）P137 图5.6 2. 外围电路 * 地址译码器（驱动器） 译码器对n位地址进行译码，形成2n个地址选择信号。 * I/O电路：处于数据总线和被选单元之间，用以控制被选的