原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
如何提高LED芯片发光强度 LED的亮度主要取决于外延方法和外延质量好坏，在芯片制造过程中采取不同的方法也可提高一些光强即提高外量子效率，但是程度有限。现在使用最方泛的方法是进行表面粗化工艺。粗化的原理是增加发光面积。该方法适用于黄，绿，普红，普黄。等GaPa基材的外延片，另外红外LED也可采用该方法。这种方法一般可以提高30%。 另外有一种方法是覆盖一层增透膜。由于发光二极管晶体的折射率比较高，当光线射向晶体表面时，在晶体和空气的交界面上就要产生折射。若假定该晶体的折射率为N1，入射角为θ1，在空气折射率为N2，折射角为θ2时，如图29-1： N1 空气N3 空气 折射光 θ1 θ1 N2 θ2=90° N2 半导体表面 半导体表面 介质层 折射光 θ1212 θ θ2 θ3 N2 2 N1 a b c c 根据折射定律，可得： NIsinθ1=N2sinθ2 (29-1) 从式（29-1）知，当θ2=90°时的θ1称为入射临界的半角用θC表示，即 θC=arcsinN2/ N1 (29-2) 显然当θ1=θC时光线全部被反射向晶体内部，如果在LED晶体与空气之间镀一层中等折射率的介质层可增大临界角θC。比如GaP的N1=3.3如果还没有介质层则临界角θC=17.7度。覆盖一层N2=1.66的介质层后θC可能增大到了30.3度，光强可提高为2.5倍。
文档评论（0）