贯穿位错对铝镓氮氮化镓光学及电子器件性能的影响.PDFVIP

电子元器件 • Electronic Component 贯穿位错对铝镓氮/氮化镓光学及电子器件性能的影响 文/邵江华 好的热稳定性，在诸如蓝光和白光 （后者通过 中最具代表性的缺陷。贯穿位错通常有三种类 氮化镓薄膜在蓝宝石、碳 黄磷化物掺杂或 RGB 三原色芯片整合实现） 型，即当位向垂直于基底时，纯刃型 (a 型 ) 位 摘 化硅和单晶硅等衬底上的异质 的LED 和激光器等光子器件，以及诸如高迁 错的伯格斯矢量 要 生长会不可避免的产生高密度 的(贯穿)位错(high-density 移率电子晶体管 (HEMT) 和金氧半场效晶体管 threading dislocation)。本文 (MOSFET) 等电子器件的应用市场潜力巨大。 ， 纯 螺 型 (c 型 ) 位 错 的 首先介绍常见的刃型和螺型位错 由于块晶氮化镓具有极其昂贵的生产成本、极 b=[0001]) 以及’c+a ’混合型 及其表征手段，随之结合国际上 高的工艺难度和不安全性，氮化镓通常以薄膜 的学术研究案例，展开讨论了位 错对于氮化镓基器件（如LED和 态在蓝宝石、碳化硅和单晶硅等异质衬底上 （ ）。刃型位错使 c 面沿 HEMT）的光学性能（非辐射复合） 外延生长。这样异质生长方式的代价是生长 着 [0001] 轴转动，螺型位错使 c 面沿着垂直于 以及电学性能（电荷散射及陷阱 环节中很大的晶格失配 （如 Al O : + 16%, SiC: [0001] 轴的方向转动。这些取向可以经 X 射线 能级）的影响机制。 2 3 +39% ）和冷却环节中的热膨胀系数失配 （如 摇摆曲线分析证实。如果我们考虑一个 (0001) Al O :-3.5%，SiC: -3.2% ）。其 中，前者会伴 面，它具有 [0001] 线型朝 向的刃型或螺型贯 2 3 随产生大量的位错。 穿位错。刃型位错具有的平面应变使其仅能扭 【关键词】氮化镓 位错 光电性能 失配位错和贯穿位错是伴随氮化镓薄膜 曲h 或 k 不为零的 (hkl) 平面。 外延生长所产生的两种位错类型。当超过临界 从而，对称 (00l) 摇摆曲线测试对纯刃型 薄膜厚度时，失配位错会形核生长以降低应变 位错并不敏感，因为刃位错并不扭曲这些平面。 能。相比而言，贯穿位错并不能减少应力，但 离轴平面的摇摆曲线测试中半峰宽会增加，因 1 （贯穿）位错及其表征 人们认为正是贯穿位错主要影响了氮化镓基器 为这些平面会被刃位错所扭 曲。比如，高位 氮化镓与其它第三主族氮化物 ( 如氮化铝 错密度 (~ 1010 -2 件的光学 ( 如复合效率、内量子效率 ) 和电学 cm ) 的 (0002) 摇摆 曲线 的半峰 和氮化铟 ) 的多元化合物，因理想的禁带带宽 性能 ( 如漏电流和其它可靠性问题 ) 。 宽会大于 200 arcsec 。相反，[0001] 的螺