GaN／SiC异质结正向恢复行为的数值模拟.pdfVIP

GaN／SiC异质结正向恢复行为的数值模拟／赵少云等 ·143 · GaN／SiC异质结正向恢复行为的数值模拟 赵少云，韦文生 (温州大学物理与电子信息工程学院，温州 325035) 摘要 利用Matlab编程模拟仿真了GaN／SiC异质结的正向恢复过程。讨论 了GaN／SiC异质结的模型，分析 了异质结的外因(外加电流变化率、温度等)及 内因(N区掺杂浓度、电子迁移率等)对异质结正向峰值电压和正向恢 复时间的影响，对比了GaN／6H—SiC、GaN／4H—SiC、GaN／3C-SiC三种异质结的正向恢复过程。结果表明，前述 内、外 因素对GaN／SiC异质结的正向恢复有明显影响，可通过调节各参数以优化GaN／SiC异质结的正向恢复过程。 关键词 GaN／SiC异质结 正向恢复 峰值电压 正向恢复时间 数值模拟 中图分类号：TN315 文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2016．08．032 NumericalSimulationonForwardRecoveryBehaviorofGaN／SiCHeterojunction ZHAO Shaoyun．W EIW ensheng (CollegeofPhysicsandElectronicInformationEngineering，WenzhouUniversity，W enzhou325035) Abstract MatlabsimulationwasusedtosimulatetheforwardrecoveryprocessofGaN／SiCheterojunction． ThemodelofGaN／SiCheterojunctionwasdiscussed．Theeffectsofexternalfactors(changerateofexternalcurrent， temperature，etc．)andinternalones(dopingconcentrationofN region，electronmobility，etc．)ontheforwardpeak voltageandrecoverytimewereanalyzed．TheforwardrecoveryprocessofGaN／6H—SiC，GaN／4H—SiCandGaN／3C- SiCheterojunctionswerecompared．Thesimulationresultsshowthattheabovefactorsinfluenceobviouslyonthefor— wardrecoveryofGaN／SiCheterojunction．ForwardrecoverybehaviorofGaN／SiCheterojunctioncanbeoptimizedby selectingasuitablemateria1． Keywords GaN／SiCheterojunction，forwardrecovery，peakvoltage，forwardrecoverytime，numericalsimu一 】ation 压和体电阻电压两者叠加共 同作用的结果。Ma等模拟分析 0 引言 了二极管正向、反向恢复特性[2]，通过建立集总电荷模型，模 功率二极管是重要的电子器件，其性能指标要求具有耐 拟得N--极管正 向恢复过程 ，分析 比较 了正向恢复电压与结 高温、击穿电压高、导通压降低、反 向恢复电流小、反向恢复 电压、体 电阻电压的关系。Ogata等主要研究了用于高频逆 时间短等特点。由于电导调制和少子存储效应，功率二极管