WO3：Mo纳米晶的制备及其光学氢敏特性研究.pdfVIP

付宏伟 等：WOs：Mo纳米晶的制备及其光学氢敏特性研究 WO3：Mo纳米 晶的制备及其光学氢敏特性研究 付宏伟 ，杨晓红，叶丽娟 ，马 勇 (重庆师范大学 光学工程重点实验室，重庆 401331) 摘 要 ： 用水热法制备 了不 同掺杂浓度 的WO。： 入的光信号进行调制后导出，通过对导出光信号的处 Mo纳米 晶粒 ，研 究了WO。：Mo的微结构和形貌 ，分 理分析获得氢气的变化信息。 析 了Mo的掺杂浓度对微结构 的影响，并研究了该材 关于 W0。的氢敏性能 已经有大量 的研究 。目 料对氢气的光学敏感特性 。结果表 明，所有样品均呈 前制备 WO。纳米 晶的方法主要有水解法m]、沉淀 现六方相 结构，掺 杂浓度为 2 (原子分数)样 品的 法[]、溶胶一凝胶法 、微乳液法 。、水热法 等。其 (200)晶面的衍射峰最强；随着掺杂量 的增加 ，样 品的 中水热法可以在低温下结晶，无需退火 ；制备过程 中可 带隙减小；当工作温度为 200℃时，掺杂浓度为 2 (原 以通过控制条件来控制结构和晶粒大小，制得的颗粒 子分数)的样品对浓度 5．0X10 的氢气表现 出良好 均匀 ；掺杂量可以灵活控制 ，并且成本低 ，能耗小 。 的光学氢敏特性。 本文采用水热法_2制备 了Mo掺杂 WO。纳米晶 关键词 ： WOs；透光率 ；氢敏特性 ：水热法 体颗粒，利用 XRD、SEM、分光光度计等手段对其晶体 中图分类号 ： TN304．055 文献标识码 ：A 结构和光学性质进行 了分析 ，同时采用 自制设备 ，通过 文章编号：1001—9731(2012)增刊 II一0225—05 测试 WO。：Mo在 H。气氛中对光的透过率 ，研究其 氢敏特性 。 l 引 言 2 实 验 在传感器技术领域，人们对传感器新材料作了大 量的研究，光学气敏传感器材料能对气体所含特定成 2．1 低温水热法制备 Mo掺杂 WO。 分的物化性质作出感应，这种感应可 以改变传感器材 将不 同量 的 Na。MoO ·2H。O(按原子摩尔 比 料的光学性质，从而达到对气体种类及浓度作出检测 Mo／W 分别为 0、0．02、0．04和 0．06)分别加入到 的 目的。近年来，基于金属氧化物半导体 (MOS)的光 lOmL浓度为 0．30318mol／L的 Na2WO4·2H2O溶 学气敏器件得到了广泛的应用。过渡金属 n型半导体 液 中搅拌 ，待 NaMoO ·2H O全部溶解后，滴加 氧化物材料 WO。(带隙宽度为 2．5～3．5eV_l。)被认 4mL上述溶液于 8mL浓度为 2mol／L的HC1中，磁 为是很好的气体敏感材料[4-7]，这是因为它具有稳定的 力搅拌0．5h后得到淡黄色微乳液，然后将该乳液移人 化学特性和较高的氧空位扩散系数 。基于wO。气体 到聚四氟乙烯 内衬的不锈钢反应釜 中，加去离子水填 传感器的研究，大都是把 wO。作为气体敏感层，采用 充到总体积的 7O％。在鼓风烘箱 中 100℃放置 24h 贵金属 (如 Pt、Au、Pd等)作为电极或催化剂制成传感 后 ，自然冷却至室温 。取出反应产物后离心沉降得到 器 ，应用时需要外加电压 ，测试电流或电阻的变化 ，主 淡黄色沉淀，将该沉淀反复清洗后均匀分散旋涂于干 要应用于大气环境、工业污染等的毒害气体监测[8。 。 净的玻璃衬底上 ，在 8O℃下干燥 6．5h，最后获得掺杂 目前，对氢气的检测技术引起 了人们极大的兴趣 ， 比为 0、2 、4 和 6 (原子分数)的WO。：Mo淡黄 其重点应用主要有两