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ZnO 异质结构中极化对二维电子气的影响

·140 · 材料导报B:研究篇 2015年6月(下)第29卷第6期 ZnMgO/ZnO异质结构 中极化对二维电子气的影响 周远明 ,田 锋 ,钟 才 ,梅 菲 ,刘凌云 ,徐进霞 ,王 远 ,张 冉 (1 湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉 430068;2 湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心,武汉 430068) 摘要 基于ZnMgO/ZnO异质结构模型,从压 电极化对应变弛豫度的依赖关系出发,通过 自洽求解一维泊松一 薛定谔方程,研究了ZnMgO势垒层的厚度、Mg组分和应变弛豫度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG) 的分布、面密度等性质的影响,并结合极化和能带偏移对计算结果进行了分析讨论。结果表明通过改变Mg组分和 应变弛豫度可以调节异质界面两边的极化强度不连续性,进而有效地调控异质结中的二维电子气。 关键词 ZnMgO/ZnO异质结 二维电子气 极化 中图分类号:TN303;0472 文献标识码:A DOI:10.11896/j.issn.1005—023X.2015.12.030 InfluenceofPolarizationonTwo-dimensionalElectronGasin ZnMgO/ZnOHeterostructure ZHOU Yuanming ,TIAN Feng ,ZHONG Cai ,M EIFei ,LIU Lingyun , XU Jinxia一,WANG Yuan一,ZHANG『Ran,2 (1 SchoolofElectrical ElectronicEngineering,HubeiUniversityofTechnology,Wuhan430068;2 HubeiCollaborative InnovationCenterforHigh-efficiencyUtilizationofSolarEnergy,HubeiUniversityofTechnology,W uhan430068) Abstract BasedonthemodelofZnMgO/ZnOheterostructurewithrelaxation-dependentpiezoelectricpolariza— tion,thedistributionandthesheetconcentrationoftwo-dimensionalelectrongas(2DEG)inheterointerfacefordiffe- rentstructuralparameterswerestudiedbysolvingtheone-dimensionalPoissonandSchrOdingerequationsself-consis— tently.TheinfluencesofthethicknessofZnMgO barrier,theMgcontentandthedegreeofstrainrelaxationwerein— vestigatedseparately,andanalysesforthecorrespondingresultsconcernedwiththepolarizationand thebandoffset wereconducted.ThecomputationalresultsindicatedthatthepolarizationcanbechangedbyalteringtheMgcontent andthedegreeofstrainrelaxation.andthusthe2DEG canbecontrolledeffectively. Keywords ZnMgO/ZnOheterostructure,two-dimensionalelectrongas,polarization 所产生的极化电场在ZnO异质界面处感生出高浓度的界面 0 引言

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