PSS生产工艺与原理.pptVIP

; PSS介绍 PSS工艺——清洗、光刻、刻蚀 质量标准;蓝宝石应用;Why Patterned Sapphire Substrate;PSS作用： 增加出光效率 减少外延位错密度;PSS examples;图形转移技术-干法刻蚀 ;图形转移技术-湿法腐蚀;纳米压印的工艺;阳极氧化铝（AAO）技术;优势： 图形尺寸小，可以克服曝光缺陷， 过程简单，没有显影，烘烤等步骤。 缺点： 掩模板昂贵。气泡等匀胶缺陷还存 在。纳米PSS需要LED工艺进一步验证。;中镓PSS模型;表：PSS 模型标准;二、PSS制程;二、PSS制程;;1、清洗;1、清洗;1、清洗; 清洗质量直接影响下面的各道工艺，如圆晶表面有残胶等污染在匀胶会产生颗粒，在ICP容易产生盲区死区，蚀刻后再清洗不容易再洗干净；圆晶表面黏附性不好在显影会产生脱胶。故必须严格控制圆晶的清洗，从源头把好关。;2、光刻;2、光刻基本工艺流程;2.1 光刻胶;抗蚀剂有两个基本功能：精确图形形成和刻蚀时保护衬底;2.2 表面处理;2.3 涂胶; ;2.3 涂胶质量标准;2.4 前烘;2.4 前烘;2.5 对准曝光;2.5 曝光工艺控制;2.5 曝光工艺——能量;2.5曝光工艺——DOF;2.5 曝光工艺——ALIGNMENT;三角;2.6 后烘;2.7 显影;2.8 坚膜;;2.9 光刻质量检查;3、刻蚀;3、ICP;ICP设备腔体示意图;：;;3.3 刻蚀工艺控制;;产品测试位置;图形高度H：1.35±0.15um 图形底径B：2.45±0.25um 图形间S：0.55±0.25um 片内图形高度、底径均匀性≤5% 间距均匀性≤10% ;眨锅锨即陵硕琐棺纠炳圾黔齐饭讲戳懦疽蓬讹班氰状狮上蔼蘸掐莲君抚庸PSS生产工艺与原理PSS生产工艺与原理;世掏沏痹冻棕斤读但瑞发栏陕城敛鳃欣齿谋砒撂早机守郑血粒侈账汛溶楚PSS生产工艺与原理PSS生产工艺与原理;死区;图形不规则;彩纹数据;不同马赛克情况PSS衬底LED波长均匀性比较; 无马赛克 轻度马赛克 重度马赛克;尺寸缺陷 平均高度 H 1.2um，1.8um；底径B2.2um或2.7um；间距S0.8um或0.3um ； 外观缺陷 ????? 关于边宽：边宽 2mm，彩纹2mm，边宽+彩纹?2 mm； ???? ?以面积为单位：刮伤、死区、污染、匀胶缺陷，累计面积10m㎡ ； ??????以曝光场为单位：3.5mm x 3.5mm 曝光场的严重马赛克（马赛克场5个或存???严重突出马赛克的）； ????? 以晶片完整：晶片缺损（如：边沿缺损），碎片（设备故障、人为操作、晶片不良等原因导致）； ;AA品：0分； A品：尺寸符合A标准，外观缺陷为1—2分者 A2品：尺寸符合A2标准、外观缺陷为0—2分且不构成不合格者 A3品：尺寸符合A3标准、外观缺陷为0—2分且不构成不合格者 B1品：单个缺陷分值在3分及以上，含1类外观缺陷且不构成不合格者 B2品：累计缺陷分值在3分及以上，含2类外观缺陷且不构成不合格者 B3品：累计缺陷分值在3分及以上，含3类及以上外观缺陷且不构成不合格者 ;台湾兆巍科技股份有限公司—PSS检测标准;耘炙娃搁牧渤你相咱皱打医钾漳狡形找圃恩替埔鸣绊戍秃赌殴触胚蛋田联PSS生产工艺与原理PSS生产工艺与原理