Chapter7场效电晶体(Field-EffectTransistors,FET)Shi.PDFVIP

樹德科技大學 資訊工程系 Chapter 7: 場效電晶體 (Field-Effect Transistors, FET) Shi-Huang Chen Spring 2010 1 樹德科技大學資訊工程學系 Dept. of CSIE, Shu-Te University Outline 7-0 FET 簡介 7-1 接面場效電晶體 7-2 接面場效電晶體的特性與參數 7-3 JFET偏壓 7-4 金屬氧化物半導體電晶體 7-5 MOSFET 的特性與參數 7-6 MOSFET偏壓 2 1 樹德科技大學資訊工程學系 Dept. of CSIE, Shu-Te University 7-0 FET 簡介 不像BJT同時有電子流與電洞流，FET內部只有一種電 荷載子在流動，所以FET是一種單極性裝置。 場效電晶體有兩種主要型式： – 接面場效電晶體(JFET, junction field-effect transistor) – 金屬氧化物半導體電晶體(MOSFET, metal oxide semiconductor field-effect transistor) 請記得，BJT是電流控制裝置 ，也就是基極電流控制 集極電流的大小。 FET則是電壓控制裝置 ，利用閘極與源極間的電壓， 控制通過裝置的電流大小。 3 樹德科技大學資訊工程學系 Dept. of CSIE, Shu-Te University 7-1 接面場效電晶體(The JFET) 汲極(Drain) 源極(Source) 閘極(Gate) 4 2 樹德科技大學資訊工程學系 Dept. of CSIE, Shu-Te University 基本工作原理 (Basic Operation) 使用JFET時，閘極和源極 間的pn 接面都是逆向偏壓 。 閘極接上負電壓會造成閘 源極接面成為逆向偏壓， 在pn 接面形成空乏區，空 乏區會侵入n通道，因此 縮減通道寛度，增加通道 的電阻值。 改變閘極電壓，就能控制 通道寛度，也因此能控制 通道電阻，最終達到控制 汲極電流ID 的目的。 5