一种新型的机械化学抛光模型.pdfVIP

维普资讯 第 6卷第5期 江 南 大 学 学 报 (自然 科 学 版) Vo．6 NO．5 2007年 10月 JournalofJiangnanUniVersity(NaturalScienceEdition) 0ct． 2007 文章编号 ：1671—7147(2007)05一O578一O5 一 种新型的机械化学抛光模型 蒋建忠， 赵永武 (江南大学 机械工程学院 江苏 无锡 214122) 摘 要：分析了机械化学抛光(CMP)过程中氧化剂与磨粒的化学机械协同作用机理，将 CMP过程分 为化学作用主导阶段和机械作用主导阶段．应用微观接触力学和颗粒粒度分布理论 ，对这两个阶段分 别建立了表征芯片表面材料去除率的数学模型，根据这两个阶段的平衡点推 出了表征芯片表面氧化 膜生成速度的数学表达式．模型综合考虑 了机械和化学作用因素、磨粒的浓度、磨粒的粒度分布特性 及磨粒／芯片／抛光盘的材料特性参数对CMP过程的影响，并通过图表分析 了磨粒体积浓度、磨粒平 均粒径粒度、磨粒粒度分布宽度以及氧化剂浓度对CMP过程芯片表面材料去除率的影响规律． 关键词：机械化学抛光；氧化膜；数学模型；粒度分布 中图分类号：TG 356．28；0484．4 文献标识码：A A New M odelforChemicalM echanicalPolishing JIANGJJan—zhong． ZHAO Yong—wu (SchoolofMechanicalEngineering，JiangnanUniversity，Wuxi214122，China) Abstract：Basedonmechanism betweenchemicalaction ofoxidantandmechanicalactionofabrasives， theCMP processiSdividedintotwocases：chemicaleffectdominantandmechanicaleffectdominant．A new mathematicalmodelcharacterizingthematerialremovalrateinCMP processisdevelopedbyusing micro—contactmechanicsand particle size distribution theory． Themodelsfor the two phasesare developedbasedonmechanicaleffect，which considersthe influenceofmostvaluablesin theCMP processincluding pad properties (modulus，hardness，asperity sizesand distribution)，processing variables (down—pressure，velocity) and slurry characteristics (abrasivemechanicaleffect，oxidant chemicaleffect)． Besides，from thebalance pointofthe two cases，a new model ，which can quantitativelydescribesthegeneration rateofoxidizedlayeronwafersurface in CMP，isdeveloped． Finally，theeffectofthemechanicalfactors(abrasiveconcentrationinslurry，abrasivediameter，abrasive sizedistributionwidth)。c