铝.镁.钛等表面制备陶瓷氧化膜.pdfVIP

　　Jan. 2005 　　　 Electroplating Pollution Control 　　　　　　　 Vol. 25 No. 1 ·34 · ·设　备· 不 对 称 正 弦 电 源 实 现 方 式 的 研 究 1 2 1 1 吕观顺 , 　王海梅 , 　姜兆华 , 　贲洪奇 ( 1. 哈尔滨工业大学 ,黑龙江 哈尔滨 150001 ;2. 青岛科技大学 机械学院 ,山东 青岛 266041) ( ) 中图分类号:TM 46 　　　　　文献标识码 :A 　　　　　文章编号 2005 　　在分析现有逆变拓扑的基础上 ,设计了适合于 1 　引言 该要求的主电路拓扑 ,如图 2 所示。在这种拓扑中 , 微等离子体氧化技术是一种新兴的金属材料表 输出的正负半波电压由两台直流电源分别供电 ,用 面陶瓷化技术 。利用该技术可以在铝、镁、钛等金属 以实现正负半波电压幅值的不对称,并且分别可调。 及其合金表面制备不同的陶瓷氧化膜 ,使其具有耐 这种新拓扑的优点 : ( 1) 电路结构简单, 安全可靠 ; 磨、耐蚀、耐高温和电绝缘的性能。由于该技术具有 ( ) ( ) 2 容易控制、效率高 ,有合理的性价比 ; 3 在开关 工艺简单、效率高、对环境污染小等优点 ,而具有良 管 S 、S 正常工作的情况下 , 电压源DC1 、DC2 之间 1 2 好的应用前景和发展空间。但目前 , 电源已成为制 不会出现环流。 约该技术应用和发展的主要因素。因此 ,设计一种 符合工艺要求的新型电源对于推动微等离子体氧化 工艺的发展将起到重要作用。 为配合微等离子体氧化工艺实验 ,获得最佳工 艺参数 ,需要一种新型的电源 ———不对称正弦电源。 为此 ,设计了一种采用两级结构来实现正负向幅值 分别可调、频率在 30 ～100 Hz 范围内调节 ,正负向 占空比相等的电源实现方式。在该实现方式中前级 为两台直流电源 ,用来实现正负向幅值的分别可调 ; 图2 　主电路原理图 后级为由 SG3525A 控制的正弦波实现电路 ,用于对 　　从图 2 中可以看出 ,该实现方式是采用 IGBT 开 频率和占空比的控制。 关管直接进行 SPWM 斩波 ,通过 LC 滤波后获得不 对称正弦输出的。即为了得到正向电压峰值 700 V 、 2 　不对称正弦电压实现电路 负向电压峰值 300 V , 占空比为0. 5 的正弦波输出 , 2. 1 　主电路设计 正向输出时开通开关 S 、关断开关 S ,使 700 V 直流 1 2 根据微等离子体氧化工艺对正弦电源的特殊要 电源通过开关 S 实现 SPWM 调制 ;负向输出时关断