平栅极氧化锌场致发射电子源的制备及性能研究.pdfVIP

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2017-08-10 发布于天津
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平栅极氧化锌场致发射电子源的制备及性能研究

年第期( )卷２３１２４２０１５２３４６文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１５２３Ｇ２３１２４Ｇ０４平栅极氧化锌场致发射电子源的制备及性能研究∗ , , , , 张永爱褚子航郑泳周雄图郭太良　 ( , ) 福州大学物理与信息工程学院福州３５０００２ : , 摘要采用传统的光刻技术制备平栅极场致发射发射的电子源而成为研究热点能广泛应用于平板显　　 [１４Ｇ１６] , , 、 . 阴极阵列利用水热法原位合成 ZnO发射源并组装示器件 LCD背光源和信息电子领域中本文采 ; 、 , 成平栅极 ZnO场致发射电子源利用光学显微镜用传统的光刻技术制备平栅极场致发射阴极阵列利 , , 和表征其微观结构分析发射源的生用水热法原位合成发射源并组装成平栅极 SEM XRD ZnO ZnO ZnO , . , . 长机制并结合场发射测试系统研究其发射特性结场致发射电子源研究其发射特性果表明, 发射源是平均直径为的六方纤 ZnO ３００nm 实验２　　 , 锌矿氧化锌纳米棒且沉积在平栅极场致发射阴极阵 . , 列的阴极电极表面场发射测试表明平栅极 ZnO场２．１　平栅极 ZnO场致发射电子源的制备 . 致发射电子源的发射特性完全由栅极控制当阳极电本文利用旋涂技术将 RZJＧ３０４光刻胶涂覆在洁净 , ; ( ), 、、压为２０００V 器件的开启电压为１５０V 当栅极电压的ITO玻璃基底表面５cm×５cm 经烘烤曝光显 , ; , 为２７５V时发射电流可达３４５ A 在栅极电压为影和固膜后采用 ITO薄膜刻蚀液腐蚀没有光刻胶保