应变量子阱中杂质态结合能的压力效应.pdfVIP

温淑敏 等 ：应变量子阱中杂质态结合能的压力效应 应变量子阱中杂质态结合能的压力效应 温淑敏 ，赵春 旺 ，王 细军 (1．内蒙古工业大学 理学院物理系 ，内蒙古 呼和浩特 010051； 2．内蒙古乌兰察布电视台，内蒙古 集宁 012000) 摘 要： 对应变闪锌矿 (001)取向GaN—A1Ga一 表的宽禁带氮化物材料及其光电子半导体器件的研 N量子阱系统 ，采用变分法讨论 了流体静压力对束 究非常活跃[4]。对于氮化物半导体的单异质结或 缚于界面附近的浅杂质态结合 能的影响。计算结果 量子阱结构 ，材料衔接界面处 晶格不匹配导致的应 表明，考虑压力对单轴、双轴应变的调制及 电子有效 变将对光电子性质[7棚 等方面起到很重要 的作用 。 质量 ，材料介 电常数及禁带宽度的影响，杂质态的结 闪锌矿结构为氮化物材料的亚稳定相，在实际晶体 合能随压力呈线性变化 。由简化相干势近似法讨论 生长中不容易获得 ，或者形成 的晶体质量不佳 。但 了垒材料 A1Ga一N 中A1组分对杂质态结合能的 是 ，闪锌矿结构的氮化物材料及其层状结构因为对 影响。结果表明，在阱宽和压力固定 时，当Al组分 称性好 、易于掺杂 的优越性 ，而受到人们 的广泛关 增加 时杂质态结合 能会逐 渐增加 ；且 压力较 大时结 注[9-1z]。施加外压力的方法可 以进一步 了解所研究 合能随组分的增加更加显著 。Al组 分的增加使 电 材料或系统的物理特性r1引，对于探索新现象和改进 子的二维特性增强，从而使结合 能增大。 器件等多方面较有意义 ，因此压力效应[】 在半导 关键词 ： GaN—A1Ga一N量子阱 ；杂质 态；结合 体低维结构 的相关研究及探讨也是人们关心的内 能 ；压力；应变 容。Goii等人 口 由实验给 出了闪锌矿和纤锌矿结 中图分类号： O471．3 文献标识码 ：A 构 的GaN与 A1N 中声子频率 的压力效应 。Zhao 文章编号 ：1001—9731(2010)增刊 I一0097—04 等人_1曾计算了纤锌矿 GaN—A1Ga一N量子 阱中 杂质态的压力效应 。 l 引 言 但就作者所知，目前尚未有关于压力对应变闪 随着电子科技的发展 ，光 电子器件的研究与应 锌矿量子阱中杂质态结合能影响的相关报道 。本文 用始终吸引着众多研究人员的探索兴趣 ，而半导体 选取 GaN-A1Ga1--xN量子阱系统 ，利用变分法讨论 材料的选取 自然成为光电子器件应用研究的重要基 (001)取 向时，闪锌矿 GaN基应变量子 阱中的杂质 础 。氮化物材料是高电离度 、短键长、低压缩性、高 态的压力效应。结果表明，当考虑压力对双轴及单 热导率和宽禁带的直接带隙半导体材料 ，该类材料 轴应变的调制及对禁带宽度、有效质量和介电常数 及其化合物在光电器件 、大功率和高温电子器件等 等参数的影响时，杂质态结合能随流体静压力的增 方面有着极其广泛 的应用_1铷。由于外界流体静压 大而近线性增加 。此外还 比较 了在不 同压力情况 力以及异质结材料在界面处存在晶格失配所导致 的 下，Al组分的变化对结合能的影响。 应变效应会改变半导体的基本行为 ，人们不仅可以 2 模型与理论 通过合金组分的变化和量子尺寸效应来调节材料和 器件的性能 ，而且可 以通过 晶格失配引入的平面双