叠接电流镜.doc

0.35微米電流鏡分析與研究 陳天祐1 ，李元彪2 漢民科技股份有限公司 摘要 本論文主要對於電流鏡深入分析與研究，針對基礎電流鏡、疊接電流鏡、wilson電流鏡、Widlar電流鏡，使用Hspice軟體進行模擬分析與研究。並研究不同溫度與NMOS不同長寛對電流鏡輸出電流所產生的影響。本研究使用之軟體主要為Synopsys公司所出品的 Hspice軟體。此外，所採用主要元件為國家晶片中心(CIC)所提供之台灣積體電路股份有限公司(TSMC)之 0.35μm標準製程的互補型金屬氧化物半導體場效電晶體(CMOS)。 關鍵字：電流鏡、CMOS、TSMC 0.35μm 一、前言 獨立電流源在晶片內部的應用極為廣泛，要求電流相對穩定且較不受外接電路的影響。電流鏡是為廣泛應用在現在的積體電路中的穩定電流，在現今電子電路設計中不可或缺。而且，在積體電路製作時NMOS都在相同狀況下製作，其特性幾乎完全相同，所以很容易製作成電流鏡。各種積體電路幾乎都要需要搭配各種電流源，而且電流幾乎不受輸出端電壓變動的影響，即是電流源的目的。 電流鏡被廣泛應用在電路中被當作是一個不太會消耗多餘的電壓的元件。在數位類比混合晶片設計中電流鏡廣泛被使用，舉例來說，有些數位類比轉換器（D/A）使用電流鏡陣列來產生與數位輸入信號成比例之類比輸出信號。 電路的研究與分析主要以國家晶片中心所提供之TSMC 0.35μm 2P4M製程為依據。同時各種電流鏡在不同工作溫度下模擬，不同負載量，對為電流鏡輸出的影響。 二、基本N-MOSFET原理 n-channel MOSFET 物理結構 FET有許多不同的類型，此處先介紹最常見的MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，雖然FET的種的種很多，但它們的工作原理皆與MOSFET相似，所以清楚MOSFET的結構及工作原理之後，學習其他種類FET便比較容易。另一個好消息是FET的工作原理比BJT簡單，非常容易理解。 　　圖 1. n-channel MOSFET的物理結構，乍看之下，它與NPN型的BJT非常的相似，但兩者之間有所不同，FET中間的P型半導體並未刻意像BJT的Base一樣做很很薄。〔備註：在實際IC製作中，還是會儘量將P型半導做薄。不過這是為了縮小尺寸以增加元件密度，與BJT基於功能需要將Base做薄的出發點不同。[1][2][3][4] 圖 1. n-channel MOSFET的物理結構 　　FET的兩塊n型半導體摻雜濃度（doping concentration）相同，即FET是對稱的結構，而BJT的Emitter摻雜濃度遠高Collector，FET中間的P型半導體先鍍上一層SiO2後再接外部導線，而BJT的Base是直接，接上外部導線。由於SiO2為絕緣體，所以無法導電，是造成FET輸入的電流等於零的關鍵點。[5][6][7][8] 　　以上我們所看到MOSFET與BJT在結構上大同小異，而它們主要是差異，在於設計觀念的不同，如FET徹底揚棄以PN界面來控制電流的想法，而改用電場來控制半導體內部的自由電子或者電洞的法動，同樣來逹到控制電流的結果，這就是場效電晶體名稱的由來。 　　為說明FET的工作原理，我們將圖 1. n-channel MOSFET的物理結構的，三個端點分別命名為源極（Source，S極）、閘極（Gate，G極）和汲極（Drain，D極），雖然P型半導體內的多數載子是電洞，但是仍存在少數的自由電子，其濃度為： ( 1 ) 其中是P型半導體內的自由電子濃度，是所摻雜的三價原子濃度，而是純半導體的載子濃度。[9][10][11] 當在G極加上正電壓時，原來均勻分佈在P型半導體內的自由電子受到了正電位的吸引，會聚集SiO2絕緣層的下方，反而電洞則受到正電位排斥而遠離此區域。當足夠大時，聚集在SiO2絕緣層下方自由電子濃度高於電洞的濃度，於是形成一長條位於P型半導體內的帶狀N型半導體。由於它的型狀類似一條隧道，所以稱為N型通道（n-channel）。 因吸引產生的N型通道，剛好將原來分離的兩塊N型半導體連在一起，成為三塊彼此相連的N型半導體。這三塊N型半導體本質都是電阻，所以就像三塊相串連的電阻，這三塊相連的N型半導體等效上相當於一顆電阻R，其電阻值為： ( 2 ) 其中、分別代表S極和D極兩塊N型半導體的電阻，而為N型通道的等效電阻，由於S極和D極的摻雜濃度很高，並且它們的截面積遠比由感應所產生的N型通道，因此在一般情況下： 所以由 ( 2 ) 得到：