斜切衬底自组装模板形成机制及生长有序量子点的研究进展.pdfVIP

· 8 · 材料导报A：综述篇 2015年 11月(上)第 29卷第 11期 斜切衬底 自组装模板形成机制及生长有序量子点的研究进展 张 璋 ，王荣飞，杨 杰，王 茺，杨 宇 (云南大学光电信息材料研究所 ，昆明650091) 摘要 在斜切基片表面上引入原子台阶并对物理表面进行改性，可提高表面吸附原子的成核率及抑制量子点 的合并，实现三维量子点在Stranski—Krastanov(S-K)模式生长的调控生长。概述了斜切基片法在 si衬底上生长有 序量子点的研究进展；介绍了斜切基片作为图形衬底生长有序量子点的应用。叙述 了斜切基 片产生台面、台阶和扭 结的图形衬底结构机制及影响因素，探讨 了台阶模板形成机制及台阶模板上生长量子点的研究进展。 关键词 斜切衬底 台阶 自组装模板 有序量子点 中图分类号：0484．1 文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X 2015．021．002 ResearchProgressofGro