第3章光器件.ppt

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第3章光器件重点讲义

OXC基本结构: ?波分复用/ 解复用器 ?交叉矩阵 ?波长转换模块 add drop ?分插复用(上下路) OXC 支撑未来光网络的关键器件 未来光网络的发展很大程度上是基于光器件的创新 光子集成工艺的突破将引起大规模的光器件创新 光交叉器件 可调谐器件 宽带光纤放大器 新型高速光信号处理器件 使用材料:III-V族半导体材料 特点:易与激光器集成、体积小、驱动电压低(~2V)、啁啾大于LN调制器(2.5Gb/s--640km;10Gb/s--80km)、调制码率(40Gb/s)、消光比低于LN调制器(~10dB) 40Gb/s EA Modulator 声光效应光调制器 声光效应是指声波作用于某晶体时,产生光弹性作用,使折射率发生变化,从而达到光调制的目的。 特点:消光比高(~30dB)、驱动功率较低、带宽窄。 磁光效应光调制器 磁光效应又称为法拉第效应。当光通过介质传播时,若在垂直光的传播方向上加一强磁场,则光的偏振面产生偏转,其旋转角与介质长度、外磁场强度成正比。 调制原理:经起偏器的光 信号通过磁光晶体,其偏 转角与调制电流有关。由 于起偏器与检偏器的透光 轴相互平行,当调制电流 为零时,透过检偏器的光强 最大;随着电流逐渐最大, 旋转角加大,透过检偏器的光强逐渐下降。 第三章 光器件 3.1 光器件概述 3.2 光连接器Connector 3.3 光衰减器Attenuator 3.4 光耦合器Coupler 3.5 复用器与滤波器Multiplexer and Filter 3.6 光隔离器与环行器 3.7 光调制器Modulators 3.8 光开光Switches 3.9 光波长转换器 3.10 光交叉互连器 3.8 光开关Switches 实现光通道的通断和转换。光网络中的关键器件。 开关时间是光开关的主要指标。不同的应用场合,对光开关的开关时间要求不同。 应用 开关时间需求 光路的交换及管理 (OADM 、 OXC) 1~10ms 保护开关 1~10 m s 光包交换 1ns 外调制 10ps 消光比、插损、串话、偏振相关性(PDL)也是光开关的重要参数 机械光开关 热光开关 电光开关 微光机电系统(MOEMS) 光开关的分类 机械式光开关 特点:低插损、低PDL、低串话(隔离度高)、性能稳定、低价格,但速度慢(~ms)只能用在OXC和OADM节点中。是目前最为成熟,应用最广的光开关 活动光纤 光纤 光纤固定装置 热光效应光开关 基本结构:MZ干涉仪,通过改变某一干涉臂的材料温度,而改变其相位差,进而实现光信号的通断 特点:可以集成、开关速度优于机械式(ms) 3dB耦合器 波导臂 薄膜加热器 相位移动 电光效应光开关 LiNbO3波导型电光开关:等同于外调制器 特点:速度快(10ps~1ns)、偏振敏感、价格昂贵 半导体光放大器SOA光开关:改变SOA驱动电流来实现 特点:速度快(~ns)、无损开关,但引入ASE噪声和可能导致信号畸变、价格昂贵 类型 大小 插损 (dB) 串话 (dB) PDL (dB) 开关 时间 机械式 8?8 3 55 0.2 10ms 热光开关 Silica Polymer 8?8 8?8 10 10 15 30 Low Low 2ms 2ms 电光开关 LiNbO3 SOA 4?4 4?4 8 0 35 40 1 Low 10ps 1ns 光开关性能比较 新型光开关——MOEMS 微光机电系统(MOEMS)光开关是微机电系统技术(MEMS)与传统光技术相结合的新型机械式光开关。 MEMS技术是基于半导体微细加工技术而成长起来的制作工艺技术,利用这种技术可以制作出微小而活动的机械系统。 采用集成电路(IC)标准工艺在Si衬底上制作出集成的微反射镜阵列,反射镜尺寸非常小,仅300微米左右,比头发丝还细。 I/O Fibers Imaging Lenses Reflector MEMS 2-axis Tilt Mirrors MEMS光开关阵列 优点: 可实现超大规模交叉连接 可利用IC工艺,批量生产 Mirror Detailed View of Mode - Eclipsing Optical Switch --Lucent. 1?N MEMS Switch 大规模交叉连接的广阔市场前景将可能使MOEMS光开关阵列成为光开关的主流 长距离系统中光交换设备市场预测(Lightwave May 2000) MOEMS光开关阵列可能成为光开

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