锐钛矿（！#$）半导体的氧空位浓度对.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 )( # ’$$% # ， ， ， Q5 *)( P * # R3?A3S7 ’$$% （ ） #$$$1’8$H’$$%H)( $# H$.%1$) +KD+ L,MNOK+ NOPOK+ !’$$% K4? * L7T * N; * 锐钛矿（ ）半导体的氧空位浓度对 !#$ 导电性能影响的第一性原理计算! ! 侯清玉 张 跃 陈 粤 尚家香 谷景华 （北京航空航天大学材料科学与工程学院，北京 #$$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’$$( ## ’$$( ) ## 基于低温重氧空位锐钛矿半导体的态密度计算，在同等条件下研究取不同大小模型的锐钛矿做适量浓度的氧 空位存在，分别对进入导带的相对平均电子数和氧空位类杂质的散射迁移率进行计算，之后对电导率进行类比，发 现锐钛矿半导体的导电性能对适量浓度低的氧空位有利可行得到了证明* 同时，低温重氧空位的条件下，锐钛矿半 导体的电导率不仅与氧空位浓度有关，而且和进入导带的平均电子数有关，和氧空位散射的电子迁移率有关的正 确结论* 关键词：锐钛矿半导体，氧空位浓度，电导率，第一性原理计算 ： ， ， ， %’’ (##)+ (##), (#’$- (’#$- 钛矿半导体的电导率不仅跟氧空位浓度有关，而且 #: 引 言 跟进入导带的平均电子数和电离杂质散射的电子迁 移率有关* 同时发现了低温重氧空位的锐钛矿D4E ’ 目前， 锐钛矿的氧空位研究都通过掺杂或 D4E 中适量浓度的氧空位控制对导电性能提高的结论 ’ * 还原处理来增大光催化的改进作用（可见光效 我们通过实验发现，对真空退火的D4E 的测量，热处 ’ ［— ］ # 应） * 而D4E 锐钛矿的导电性能的研究非常少， 理温度低于 时，荷电氧空位开始形成 因此， ’ (%$ G * 虽然锐钛矿的电子有效质量（ ! ）小于金红 ! F #!$ 以氧空位浓度决