N阱CMOS工艺流程剖析.ppt

N阱CMOS工艺 ① 初始材料 CMOS集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的P型（100）衬底上以减小衬底电阻 ,防止闩锁效应。 ② 外延生长 CMOS工艺的第一步是在衬底上生长一层轻掺杂的P型外延层，比标准双极工艺采用的外延层薄很多。理论上CMOS工艺不需要外延层，因为MOS管可以直接在P型衬底上形成。外延工艺增加了成本，但是采用P+衬底可以提高抗闩锁效应的能力。 ③ N阱扩散 使用N阱掩模版对甩在氧化层上的光刻胶进行光刻。 ③ N阱注入 曝 光 氧化层的刻蚀 N阱注入 形成N阱 ④ 场区LOCOS （局部氧化） 基本CMOS工艺采用LOCOS技术选择性地生长厚氧化层，只在形成源器件的区域留下薄的缓冲氧化层。芯片上的局部氧化区域称为场区，而被保护未形成氧化层的区域称为有源区。LOCOS工艺首先在整个晶圆上淀积一层氮化硅，然后用反型槽掩模版光刻氮化硅，最后采用选择性可是除去场区上的氮化层。 氮化硅的刻蚀 沟道终止注入 P型外延场区接受P型的沟道终止注入，而N阱场区接受N型沟道终止注入，这里包含大面积硼注入和选择性磷注入 场氧的生长 去除氮化硅 ⑤ 阈值调整 目的为了让PMOS和NMOS管拥有相同的阈值电压绝对值。 可以先注入P型杂质（B），再N型杂质（P），因为B的扩散系数小；也可以只注入P型杂质（B）进行调节。 采用一步调节方法 重新生长二氧化硅（栅氧） ⑥ 多晶硅淀积和光刻 刻蚀多晶硅 ⑦ 源/漏注入 现在完成的多晶硅栅可作为NMOS管和PMOS管的源/漏自对准注入的掩模版。在下图中，先进行N型的源/漏注入（NSD），采用As杂质；然后进行P型源/漏注入（PSD），采用B。 由于As的扩散系数小。所以先NSD P+离子注入 N+离子注入 ⑧ 接触、金属化及保护层 接触孔硅化后，在晶圆上先溅射一层难溶金属薄膜，然后淀积较厚的掺铜铝层。然后就是在最后一层金属上淀积保护层。 生长磷硅玻璃PSG 光刻接触孔 刻 铝 刻铝 NMOS Transistors PMOS晶体管 衬底PNP管 多晶电阻 NSD和PSD电阻 电 容 * * 光刻1，刻N阱掩膜版 氧化层 P-SUB 光刻1，刻N阱掩膜版 光刻胶 掩膜版 光刻1，刻N阱掩膜版 光刻1，刻N阱掩膜版 N阱 P-SUB 光刻2，刻有源区掩膜版 二氧化硅 掩膜版 光刻2，刻有源区掩膜版 二氧化硅 氮化硅 掩膜版 光刻3，刻多晶硅掩膜版 FOX 光刻3，刻多晶硅掩膜版 栅氧 场氧 光刻3，刻多晶硅掩膜版 多晶硅 光刻3，刻多晶硅掩膜版 掩膜版 光刻4，刻P+离子注入掩膜版 掩膜版 P+ 光刻5，刻N+离子注入掩膜版 N+ PSG 光刻6，刻接触孔掩膜版 P+ N+ 光刻7，刻Al掩膜版 Al VDD Vo VSS 光刻8，刻压焊孔掩膜版 钝化层 淀积钝化层 *