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太阳电池发展趋势 赵玉文 2) 带硅技术 直接拉制硅片－免去切片损失 (内园切割，刀锋损失300～400 ?m。 线锯切割，刀锋损失～200 ?m)。 过去几十年里开发过多种生长 带硅 或片状硅技术 ① EFG带硅技术 采用石墨模具－电池效率13％－15％。该技术于90年代初实现了商业化生产，目前属于RWE (ASE)公司所有。 ②蹼状带硅技术。 在表面张力的作用下,插在熔硅中的两条枝蔓晶的中间会同时长出一层如蹼状的薄片,所以称为蹼状晶。切去两边的枝晶，用中间的片状晶制作太阳电池。蹼状晶为各种硅带中质量最好,但其生长速度相对较慢。 ③Astropower的多晶带硅制造技术。 该技术基于液相外延工艺，衬底为可以重复使用的廉价陶瓷。实验室太阳电池效率达到 15.6％，该技术实现了小规模的商业化生产。 3. 薄膜太阳电池 3.1 硅基薄膜太阳电池 3.2 化合物半导体薄膜电池 3.3 染料敏化TiO2太阳电池(光化学电池) 3.4 有机电池 3.1 硅基薄膜太阳电池 1)非晶硅(a-Si)太阳电池 a-Si 是Si-H(约10％)的一种合金。 1976年－RCA实验室－D.Carlson和 C.Wronski