中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应！.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 2. ##$ ， ， ， RS8 -2. QS - QST=6B= ##$ （ ） ###5%4#M##$M2. M.#5#’ +NC+ ADO9PN+ 9PQPN+ !##$ NU7( - AUV, - 9S? - 中红外下半导体掺杂调制的表面 等离子体透射增强效应! ! 花 磊 宋国峰 郭宝山 汪卫敏 张 宇 （中国科学院半导体研究所，北京 ###$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ##$ % ’ ##$ ’ % 理论研究了平面电磁波通过 型重掺 薄膜的透射谱 当 薄膜两表面刻上亚波长的周期性沟槽结构 ( )*+, - )*+, 时，透射谱在中红外波段出现了异常的透射增强现象 把这一现象归因于表面等离子体模式和波导模式的耦合 通 - - 过优化结构参数可以得到最大的透射效率- 此外，发现随着掺杂浓度的升高，透射谱线中的透射峰逐渐向高频方向 移动，最优化后透射峰值随掺杂浓度的升高而逐渐降低 这是由于掺杂浓度的改变，导致了不同的等离子体频率和 - 电子碰撞频率，从而影响了激发模式和薄膜对电磁波的吸收- 关键词：表面等离子体，掺杂半导体，增强透射，掺杂调制 ： ， ， ， !## .%#/ .$#0 123 %%#0 透射增强现象 由于等离子体频率与材料的电子浓 - @ 引 言 度成比例，而半导体的电子浓度可以通过掺杂浓度 来进行调节，用重掺半导体研究9AA 特性，可以通过 近年来，由于表面等离子体激元（ ）在电子学 调节掺杂浓度和工作温度来改变它的电子浓度和迁 9AA 和光子学上潜在的应用价值，基于9AA 的亚波长光 移率，从而方便地调整激发的 模式 此外，与金 9AA - ［— ］ 学得到了广泛的研究 1 - 0BB=,=( 等人通过实验发 属相比，半导体的9AA 器件能够通过半导体工艺很 现：当光束通过带有亚波长小孔阵列的金属薄膜时， 好的实现与其他半导体器件集成，使其在中红外波 ［］